[發(fā)明專利]光學(xué)薄膜及其制造方法、以及具有該光學(xué)薄膜的偏振片和圖像顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910132925.0 | 申請(qǐng)日: | 2009-03-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101551473A | 公開(kāi)(公告)日: | 2009-10-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 矢內(nèi)雄二郎;佐佐田泰行 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 富士膠片株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G02B1/04 | 分類號(hào): | G02B1/04;G02B5/30;B32B7/02;B32B37/12;G02F1/1335;B29C55/04 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人: | 陳建全 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光學(xué)薄膜 及其 制造 方法 以及 具有 偏振 圖像 顯示裝置 | ||
1.一種光學(xué)薄膜,其包含由纖維素酰化物類聚合物組合物形成的第1 區(qū)域和配置在該第1區(qū)域內(nèi)部的第2區(qū)域,其中,所述第2區(qū)域?yàn)榫哂行? 狀各向異性的氣泡,所述第1區(qū)域中聚合物的分子主鏈的平均取向方向與 所述第2區(qū)域的長(zhǎng)軸的平均方向不同,
并且所述光學(xué)薄膜在拉伸時(shí)的溫度為(Tg-20)~Tc℃、且拉伸倍率為 1~300%下進(jìn)行了拉伸,其中,Tg表示薄膜的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度,Tc表示薄 膜的結(jié)晶化溫度,Tg和Tc的單位為℃。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)薄膜,其特征在于,所述第2區(qū)域的長(zhǎng)軸 平均長(zhǎng)與所述第2區(qū)域的薄膜面內(nèi)方向的短軸平均長(zhǎng)的比為1.1~30。
3.如權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)薄膜,其特征在于,所述第2區(qū)域的 長(zhǎng)軸平均長(zhǎng)與所述第2區(qū)域的薄膜膜厚方向的短軸平均長(zhǎng)的比為30~300。
4.如權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)薄膜,其特征在于,所述第1區(qū)域的 折射率n1比所述第2區(qū)域的折射率n2大0.01~1.00。
5.如權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)薄膜,其特征在于,所述第2區(qū)域的 當(dāng)量球徑為0.02μm以上。
6.如權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)薄膜,其特征在于,所述第2區(qū)域的 體積分率為20~70%。
7.如權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)薄膜,其特征在于,所述第2區(qū)域在 膜厚方向具有密度分布。
8.如權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)薄膜,其特征在于,霧度為15%以上。
9.權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)薄膜的制造方法,其包含將由聚合物組 合物形成的、霧度為1%以下的薄膜在拉伸溫度為(Tg-20)~Tc℃、且拉 伸倍率為1~300%下進(jìn)行拉伸的工序,其中,Tg為薄膜的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度, 單位為℃;Tc為薄膜的結(jié)晶化溫度,單位為℃。
10.如權(quán)利要求9所述的光學(xué)薄膜的制造方法,其特征在于,在所述拉 伸時(shí),將施加于所述薄膜的沿拉伸方向的拉伸最大應(yīng)力控制到10Mpa~ 60Mpa。
11.如權(quán)利要求9所述的光學(xué)薄膜的制造方法,其特征在于,在所述拉 伸時(shí),將薄膜的表面溫度與背面溫度間的溫度差控制到0.1度以上。
12.如權(quán)利要求10所述的光學(xué)薄膜的制造方法,其特征在于,在所述 拉伸時(shí),將薄膜的表面溫度與背面溫度間的溫度差控制到0.1度以上。
13.一種偏振片,其特征在于,具有至少一片權(quán)利要求1~8中任一項(xiàng) 所述的光學(xué)薄膜。
14.一種圖像顯示裝置,其特征在于,具有至少一片權(quán)利要求1~8中 任一項(xiàng)所述的光學(xué)薄膜或權(quán)利要求13所述的偏振片。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于富士膠片株式會(huì)社,未經(jīng)富士膠片株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910132925.0/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 氫燃料制造系統(tǒng)、氫燃料制造方法以及氫燃料制造程序
- 單元控制系統(tǒng)、生產(chǎn)系統(tǒng)以及控制方法
- 制造裝置及制造方法以及制造系統(tǒng)
- 一種三相異步電動(dòng)機(jī)制造工藝方法
- 制造設(shè)備、制造裝置和制造方法
- 用于監(jiān)測(cè)光學(xué)鏡片制造過(guò)程的方法
- 產(chǎn)品的制造系統(tǒng)、惡意軟件檢測(cè)系統(tǒng)、產(chǎn)品的制造方法以及惡意軟件檢測(cè)方法
- 一種面向制造服務(wù)的制造能力評(píng)估方法
- 一種基于云制造資源的制造能力建模方法
- 制造設(shè)備系統(tǒng)、制造設(shè)備以及制造方法
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





