[發(fā)明專利]顯示用基板及其制造方法以及顯示裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910132922.7 | 申請日： | 2009-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN101551541A | 公開（公告）日： | 2009-10-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 山本哲也;山本直樹;牧野久雄;氏原彰;平島義典;巖岡啟明;青木久;保苅一志;吉田基彥 | 申請（專利權(quán)）人： | 卡西歐計(jì)算機(jī)株式會(huì)社;學(xué)校法人高知工科大學(xué) |
| 主分類號： | G02F1/1333 | 分類號： | G02F1/1333;G02F1/1343;G02F1/1368;C23C14/35;C23C14/38;C23C14/40;C23C14/44 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人： | 陳建全 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 顯示 用基板 及其 制造 方法 以及 顯示裝置 | ||
1.一種顯示用基板，其特征在于，具備：
支持基板、
形成于所述支持基板上的有機(jī)樹脂層、
形成于所述有機(jī)樹脂層上的透明電極；
所述透明電極包含第1層和第2層，所述第1層密合地形成于所述有機(jī)樹脂層上，且包含添加有鎵及/或鋁的氧化鋅，所述第2層形成于該第1層上，具有比所述第1層厚的層厚，且包含添加有鎵及/或鋁的氧化鋅；
所述第1層通過直流濺射或直流磁控濺射而形成；
所述第2層通過高頻濺射、高頻磁控濺射、高頻疊加直流濺射、高頻疊加直流磁控濺射中的任何一種而形成；
所述第2層的電阻率小于所述第1層的電阻率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的顯示用基板，其特征在于：所述有機(jī)樹脂層是濾色器層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2中所述的顯示用基板，其特征在于：具有由形成于所述濾色器層和所述透明電極之間的有機(jī)樹脂構(gòu)成的緩沖層，所述透明電極密合地形成于所述緩沖層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的顯示用基板，其特征在于：所述透明電極還包含第3層，該第3層通過直流濺射或直流磁控濺射形成于所述第2層上，且包含氧化鋅。
5.一種顯示用基板，其特征在于，具備：
支持基板、
形成于所述支持基板上的有機(jī)樹脂層、
形成于所述有機(jī)樹脂層上的透明電極；
所述透明電極包含第1層和第2層，所述第1層密合地形成于所述有機(jī)樹脂層上，且包含添加有鎵及/或鋁的氧化鋅，所述第2層形成于該第1層上，具有比所述第1層小的電阻率，且具有比所述第1層厚的層厚，并包含添加有鎵及/或鋁的氧化鋅。
6.根據(jù)權(quán)利要求5中所述的顯示用基板，其特征在于：所述透明電極的電阻率低于4μΩ·m。
7.根據(jù)權(quán)利要求5中所述的顯示用基板，其特征在于：所述有機(jī)樹脂層包含濾色器層。
8.根據(jù)權(quán)利要求5中所述的顯示用基板，其特征在于：所述透明電極的(101)面與(100)面的X射線衍射強(qiáng)度之比為0.05以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求7中所述的顯示用基板，其特征在于：具有由形成于所述濾色器層和所述透明電極之間的有機(jī)樹脂構(gòu)成的緩沖層，所述透明電極密合地形成于所述緩沖層上。
10.根據(jù)權(quán)利要求5中所述的顯示用基板，其特征在于：所述透明電極包含形成于所述第2層上的包含氧化鋅的第3層，該第3層的電阻率高于所述第2層的電阻率。
11.根據(jù)權(quán)利要求5中所述的顯示用基板，其特征在于：具有形成于所述透明電極上的取向膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求10中所述的顯示用基板，其特征在于：所述透明電極的電阻率在7μΩ·m以下。
13.根據(jù)權(quán)利要求12中所述的顯示用基板，其特征在于：所述透明電極的所述第1層的電阻率在7μΩ·m以上。
14.一種顯示裝置，其特征在于，具備：
TFT基板，其具有有機(jī)樹脂層及形成于該有機(jī)樹脂層上的第1透明導(dǎo)電層、
顯示用基板，其具有由有機(jī)樹脂構(gòu)成的濾色器層及形成于該濾色器層上的第2透明導(dǎo)電層、
顯示元件，其介于所述TFT基板和所述顯示用基板之間；
所述第1透明導(dǎo)電層及所述第2透明導(dǎo)電層中的至少一方包含第1層和第2層，所述第1層密合地配設(shè)在所述有機(jī)樹脂層或所述濾色器層上，且包含添加有鎵及/或鋁的氧化鋅；所述第2層層疊在該第1層上，具有比所述第1層厚的層厚，且包含添加有鎵及/或鋁的氧化鋅；
所述第1層通過直流濺射或直流磁控濺射而形成；
所述第2層通過高頻濺射、高頻磁控濺射、高頻疊加直流濺射、高頻疊加直流磁控濺射中的任何一種而形成；
所述第2層的電阻率小于所述第1層的電阻率。
15.根據(jù)權(quán)利要求14中所述的顯示裝置，其特征在于：所述第1透明導(dǎo)電層及所述第2透明導(dǎo)電層中的至少一方包含第3層，該第3層通過直流濺射或直流磁控濺射形成于所述第2層上，且包含氧化鋅。
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào)，上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的；用于上述操作的技術(shù)或工藝；變頻；非線性光學(xué)；光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如，轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制；非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制，即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
