[發明專利]半導體裝置及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 200910132820.5
• 申請日: 2009-04-14
• 公開（公告）號: CN101562153A
• 公開（公告）日: 2009-10-21
• 發明（設計）人: 大沼英人;野村典嗣
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/78;H01L21/20;H01L21/50;H01L21/268
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 朱海煜;徐予紅

1.一種半導體裝置的制造方法，包括如下步驟：

在單晶半導體襯底中形成脆弱區域；

將所述單晶半導體襯底貼合并固定到襯底；

通過加熱所述單晶半導體襯底在所述脆弱區域中產生裂縫，以從 所述單晶半導體襯底的一部分進行分離而形成半導體層，其中所述半 導體層貼合到所述襯底；

對所述半導體層照射激光束而將所述半導體層再晶化；

從所述半導體層形成第一島狀半導體層和第二島狀半導體層，其 中所述第一島狀半導體層的厚度薄于所述第二島狀半導體層的厚度；

將賦予n型導電型的雜質元素添加到所述第一島狀半導體層的一 部分中而形成源區域和漏區域；以及

將賦予p型導電型的雜質元素添加到所述第二島狀半導體層的一 部分中而形成源區域和漏區域。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其還包括如下 步驟：即形成具有所述第一島狀半導體層的n型晶體管和具有所述第二 島狀半導體層的p型晶體管。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其還包括如下 步驟：即進行熱處理而更有效地使所述襯底和所述單晶半導體襯底彼 此粘合。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其中通過對與 所述襯底和所述單晶半導體襯底的粘合有關的區域照射微波而進行所 述熱處理。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其還包括如下 步驟：即在所述第一和所述第二島狀半導體層的所述源區域和所述漏 區域中形成金屬硅化物層。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其中包含在所 述金屬硅化物層中的金屬選自由鈦、鎳、鎢、鉬、鈷、鋯、鉿、鉭、 釩、釹、鉻、鉑和鈀構成的組中。

7.一種半導體裝置的制造方法，包括如下步驟：

在單晶半導體襯底中形成脆弱區域；

將所述單晶半導體襯底貼合并固定到襯底；

通過加熱所述單晶半導體襯底在所述脆弱區域中產生裂縫，以從 所述單晶半導體襯底的一部分進行分離而形成半導體層，其中所述半 導體層貼合到所述襯底；

對所述半導體層照射激光束而將所述半導體層再晶化；

將所述半導體層分離成第一島狀半導體層和第二島狀半導體層；

通過使用掩模對所述第一島狀半導體層進行蝕刻，而使所述第一 島狀半導體層的厚度薄于所述第二島狀半導體層的厚度；

通過使用所述掩模將賦予n型導電型的雜質元素添加到所述第一 島狀半導體層的一部分中而形成源區域和漏區域；以及

將賦予p型導電型的雜質元素添加到所述第二島狀半導體層的一 部分中而形成源區域和漏區域。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其還包括如下 步驟：即形成具有所述第一島狀半導體層的n型晶體管和具有所述第二 島狀半導體層的p型晶體管。

9.根據權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其還包括如下 步驟：即進行熱處理而更有效地使所述襯底和所述單晶半導體襯底彼 此粘合。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，其中通過對與 所述襯底和所述單晶半導體襯底的粘合有關的區域照射微波而進行所 述熱處理。

11.根據權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其還包括如下 步驟：即在所述第一和所述第二島狀半導體層的所述源區域和所述漏 區域中形成金屬硅化物層。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置的制造方法，其中包含在 所述金屬硅化物層中的金屬選自由鈦、鎳、鎢、鉬、鈷、鋯、鉿、鉭、 釩、釹、鉻、鉑和鈀構成的組中。