[發(fā)明專(zhuān)利]分離晶片基材上表層的多個(gè)半導(dǎo)體元件裸片方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910132813.5
• 申請(qǐng)日: 2009-04-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101621025A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-01-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 余振華;邱文智;陳鼎元
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/78
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/78;H01L21/306;H01L21/268;H01L21/304;H01L33/00
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 姜 燕;陳 晨

1.一種分離晶片基材上表層的多個(gè)半導(dǎo)體元件裸片方法，包括下列步驟：

形成一光刻圖案于該上表層，暴露一介于欲分離的相鄰裸片間的區(qū)域；

于該晶片基材中蝕刻該暴露區(qū)域至一深度以形成一蝕刻圖案，使該蝕刻圖案的底部大體上低于該晶片基材上表層，其中該深度大于該晶片基材厚度一半，其中該蝕刻圖案的底部與晶片基材的一背表面之間的距離為200～350μm；以及

自該上表層直接照射一激光光束到該晶片基材的該蝕刻圖案裸露的底部，用以切穿該晶片基材和分離所述多個(gè)裸片。

2.如權(quán)利要求1所述的分離晶片基材上表層的多個(gè)半導(dǎo)體元件裸片方法，其中該晶片基材擇自于以下所構(gòu)成的群族：

砷化鎵、砷磷化鎵、磷化銦、磷化鎵、砷鋁化鎵、磷銦化鎵、氮化鎵、氮化銦鎵、于藍(lán)寶石上的氮化鎵/氮化銦鎵、硅、鍺、硅化鍺、印刷電路板，以及上述的組合。

3.如權(quán)利要求1所述的分離晶片基材上表層的多個(gè)半導(dǎo)體元件裸片方法，其中該半導(dǎo)體元件擇自于以下所構(gòu)成的群族：

發(fā)光二極管、有源元件、無(wú)源元件、集成電路、無(wú)線通信射頻集成電路、微波微線條元件、光電元件、微機(jī)電系統(tǒng)，以及上述的組合。

4.如權(quán)利要求1所述的分離晶片基材上表層的多個(gè)半導(dǎo)體元件裸片方法，其中該蝕刻是一等離子體蝕刻工藝，其中該蝕刻圖案于晶片中延伸至一深度，大體上深于埋設(shè)有LED元件的上表層。