[發明專利]連續生產銅銦鎵硫軟體薄膜式太陽能電池組件的方法

無效

• 申請號: 200910132770.0
• 申請日: 2009-04-16
• 公開（公告）號: CN101866978A
• 公開（公告）日: 2010-10-20
• 發明（設計）人: 張世英
• 申請（專利權）人: 張世英
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/14
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1.連續生產銅銦鎵硫軟體簿膜式太陽能電池組件的方法：它是由軟體帶狀卷材金屬或塑膠基材箔(1)、真空連續隧道室第一，至第七段(6)、(9)、(11)、(19)、(21)、(25)和往復式硫化爐(14)等組成，其特征是；將軟體的帶狀卷材金屬或塑膠基材箔(1)，始端開始連續均速送入真空連續隧道室第一段“雜物清理段”(3)，并通過加熱器(4)，將基材帶箔(1)，加熱到200-300℃：利用等離子或輝光放電發生器(5)，發生的等離子或輝光放電轟擊基材帶箔(1)，進行表面雜物清理處理后，用真空隔離窄縫伐(13-₁)隔離：清理后的基材帶箔(上1)，以均速行走進入真空連續隧道室第二段“絕緣層磁控濺射真空室”(6)，采用二氧化硅或二氧化鈦合金靶材(7)，用磁控濺射法在基材帶箔(1)上表面，濺鍍二氧化硅或二氧化鈦絕緣膜，再用真空隔離窄縫伐(13-₂)隔離，基材帶箔(1)繼續以均速行走進入真空連續隧道室第三段“背電極磁控濺射真空室”(9)，沿基材帶箔(1)行走方向即在背電極磁控濺射室(9)縱向，基材帶箔(1)表面，設定距離高度，平行設置多個兩端頭張緊的鍍膜遮擋線(8)，用于在濺鍍背電極膜時，遮擋背電極銅鉬合金膜，不再濺鍍在基材帶箔1的絕緣層表面，替代原激光刻蝕劃線：采用銅鉬合金靶材(10)，應用磁控濺射法，濺鍍銅鉬合金背電極膜，濺鍍并遮擋成線后的銅鉬合金背電極基材帶箔(1)，通過真空隔離窄縫伐(13-₃，)隔離，續以均速行走進入真空連續隧道室第四段“銅銦鎵磁控濺射真空室(11)”，為防止氧化在抽真空前先通入氫氣和氬氣：采用銅銦鎵合金靶材(12)，應用磁控濺射法，濺鍍銅銦鎵合金膜。溫度200-250℃，濺鍍銅銦鎵合金膜的基材帶箔(1)，通過真空隔離窄縫伐(13-₄)隔離，繼續均速行走進入往復式硫化結晶爐(14)，進行硫化結晶：硫化介質為H₂S氣體或者S粉的低溫爐中進行硫化處理，利用氬氣作載氣，硫蒸氣由硫蒸汽發生器(15)產生，硫化溫度為350--450℃。濺鍍銅銦鎵合金膜的基材帶箔(1)，在硫化結晶爐(14)內往復行走時間25-32分鐘后，通過真空隔離窄縫伐(13-₅)隔離，連續均速進入往復式冷卻室(17)：將硫化結晶后的高溫銅銦鎵硫基材帶箔(1)通過散熱器(18)，冷卻到200-250℃，即完成了P型半導體簿膜的制備：通過真空隔離窄縫伐(13-₆)，再送入真空連續隧道室第五段“硫化鋅磁控濺射真空室(19)，采用硫化鋅合金靶材(20)，使用磁控濺射法在銅銦鎵硫P型半導體基材帶箔上表面濺鍍硫化鋅n型半導體膜：此段已形成了P-n結銅銦鎵硫半導體膜層基材帶箔：濺鍍后的P-n結銅銦鎵硫半導體膜層基材帶箔，通過真空隔離窄縫伐(13-₇)，再送入真空連續隧道室第六段“上電極透明導電層ICO膜磁控濺射真空室”(21)，采用二氧化錫合金靶材(22)，使用磁控濺射法，在P-n結銅銦鎵硫半導體膜層基材帶箔表面上，濺鍍二氧化錫，上電極透明導電ICO膜：濺鍍透明導電ICO膜后的基材帶箔(1)，通過真空隔離窄縫伐(13-₈)隔離，再連續均速進入激光刻蝕機(23)，應用激光束蝕劃電極(24)，刻蝕電極后，通過真空隔離窄縫伐(13-₉)，再送入真空連續隧道室第七段“透明氟化鎂減反射膜磁控濺射真空室”(25)：采用氟化鎂合金靶材(26)，使用磁控濺射法在濺鍍過透明導電ICO膜的基材帶箔表面上，濺鍍透明氟化鎂減反射膜。使用真空隔離窄縫伐(13-₁₀)隔離封閉真空室，繼而進入真空封裝室(27)，封裝透明保護膜(28)后，再進入冷卻室(29)，冷卻到50℃以下的成品銅銦鎵硫太陽能電池組件帶箔(30)，通過卷繞機卷繞成卷(31)后，根據用戶功率的需要再剪切成各種單元功率的銅銦鎵硫太陽能電池組件。

2.根據權利要求書(1)所述的連續生產銅銦鎵硫軟體簿膜式太陽能電池組件的方法，其特征是；在真空連續隧道室第三段“背電極磁控濺射真空室”(9)內，上側設置永久磁鐵(35)依次按裝陰極(33)，銅鉬合金靶材(10)：下側軟體帶狀卷材金屬或塑膠基材箔(1)上表面己濺鍍二氧化硅或二氧化鈦絕緣層(34)表面上，在設定的高度距離內，安裝背電極鍍膜遮擋線(8)，使連續行走的軟體帶狀卷材金屬或塑膠基材箔(1)，不產生磨擦：濺射產生的二次電子在陰極(33)位降區內被加速成高能電子，在電場和永久磁鐵(35)磁場的聯合下，作擺線運動飛向二氧化硅或二氧化鈦絕緣層(34)，由于背電極鍍膜遮擋線(8)遮擋的原因，未遮擋處表面，濺鍍背電極銅鉬合金膜(32)，鍍膜遮擋線(8)遮擋處，末能濺鍍膜層，因此替代了激光刻蝕劃線工序。