[發明專利]發光二極管光源模塊無效
| 申請號: | 200910132637.5 | 申請日: | 2009-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN101852345A | 公開(公告)日: | 2010-10-06 |
| 發明(設計)人: | 陳錫銘;李玟良;朱長信;王星貿 | 申請(專利權)人: | 奇力光電科技股份有限公司 |
| 主分類號: | F21S2/00 | 分類號: | F21S2/00;F21V29/00;F21V19/00;F21V23/00;H01L33/00;F21Y101/02 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 陳紅 |
| 地址: | 中國臺灣臺南*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 光源 模塊 | ||
1.一種發光二極管光源模塊,其特征在于,至少包含:
一導熱基板,其中該導熱基板的一表面包含多個凹槽;
多個發光二極管芯片,分別設在該些凹槽中;
至少一絕緣層,設于該些凹槽外的該導熱基板的該表面上;
至少一導電層,設于該至少一絕緣層上,其中該些發光二極管芯片與該至少一導電層電性連接;
一封裝膠體層,覆蓋在該些發光二極管芯片、該至少一導電層與該至少一絕緣層上;以及
一透光基板,設于該封裝膠體層上。
2.根據權利要求1所述的發光二極管光源模塊,其特征在于,每一該些發光二極管芯片至少包含:
一基板;
一第一電性半導體層,設于該基板上;
一發光層,設于部分的該第一電性半導體層上;
一第二電性半導體層,設于該發光層上,其中該第二電性半導體層與該第一電性半導體層具不同電性;
一第一電極,設于另一部分的該第一電性半導體層上;以及
一第二電極,設于該第二電性半導體層上。
3.根據權利要求2所述的發光二極管光源模塊,其特征在于,該些發光二極管芯片嵌設在該導熱基板的該表面的該些凹槽中。
4.根據權利要求3所述的發光二極管光源模塊,其特征在于,該第一電性半導體層與該至少一絕緣層同高。
5.根據權利要求3所述的發光二極管光源模塊,其特征在于,該導熱基板至少包括:
一金屬基板;以及
一導電復合層,設于該金屬基板上,其中該些發光二極管芯片設于該導電復合層上。
6.根據權利要求2所述的發光二極管光源模塊,其特征在于,還至少包括一熒光層設于該些發光二極管芯片與該透光基板之間。
7.根據權利要求6所述的發光二極管光源模塊,其特征在于,該熒光層設于該透光基板的一底面上,并與該些發光二極管芯片相面對。
8.根據權利要求7所述的發光二極管光源模塊,其特征在于,還至少包括一抗反射層,其中該熒光層夾設在該透光基板的該底面與該抗反射層之間。
9.根據權利要求7所述的發光二極管光源模塊,其特征在于,還至少包括一抗反射層夾設在該透光基板的該底面與該熒光層之間。
10.根據權利要求6所述的發光二極管光源模塊,其特征在于,該熒光層覆蓋在該些發光二極管芯片與該導熱基板上。
11.根據權利要求10所述的發光二極管光源模塊,其特征在于,還至少包括一抗反射層設在該透光基板的一底面上。
12.根據權利要求2所述的發光二極管光源模塊,其特征在于,該些發光二極管芯片設于每一該些凹槽的一底面上且與每一該些凹槽的一側面分開。
13.根據權利要求12所述的發光二極管光源模塊,其特征在于,每一該些發光二極管芯片還包含一共晶接合層覆蓋在該基板的底面上,以使該些發光二極管芯片與該導熱基板共晶接合。
14.根據權利要求1所述的發光二極管光源模塊,其特征在于,該透光基板包含一光學結構,且該光學結構包括多個凸透鏡、多個棱鏡、或一表面噴沙結構。
15.根據權利要求1所述的發光二極管光源模塊,其特征在于,該至少一絕緣層包含互相堆疊的多個絕緣層,且該至少一導電層包含互相堆疊的多個導電層,其中該些導電層與該些絕緣層對應且分別設于對應的該些絕緣層上。
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