[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910132586.6
• 申請(qǐng)日: 2005-11-11
• 公開（公告）號(hào): CN101527344A
• 公開（公告）日: 2009-09-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小屋賢一;岸本幸男
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 陳 萍

本申請(qǐng)是2005年11月11日提交的，中國專利申請(qǐng)?zhí)枮?00580040589.7，發(fā)明名稱為“半導(dǎo)體發(fā)光裝置、照明裝置、便攜通信設(shè)備、攝像機(jī)及制造方法”的專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及發(fā)出光的半導(dǎo)體發(fā)光裝置、以半導(dǎo)體發(fā)光裝置為光源的照明裝置、便攜通信設(shè)備及攝像機(jī)，特別是涉及用于將輸出光高效地輸出到外部或提高熒光物質(zhì)的變換率的技術(shù)。

背景技術(shù)

近年來，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的提高，正在推動(dòng)普及輸出照明用的白色光的半導(dǎo)體裝置。

在上述半導(dǎo)體裝置中，考慮將底板(submount)的電極形成為比上述半導(dǎo)體發(fā)光元件大來使其具有反射膜的功能的方法。這時(shí)，上述電極可以用光的反射率高的金屬形成。

專利文獻(xiàn)1：(日本)特開2000-286457號(hào)公報(bào)。

但是，在上述反射率高的金屬中，有的金屬因容易產(chǎn)生電遷移等而不適合作為電極。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明不管反射率高的材料是否適合作為電極，提供用它將半導(dǎo)體元件發(fā)出的藍(lán)色光或由熒光物質(zhì)變換的黃綠色光等的輸出光高效地輸出到外部的半導(dǎo)體裝置、具備該半導(dǎo)體裝置的照明裝置、便攜通信設(shè)備、及攝像機(jī)、以及該半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，具備襯底部件和配置在上述襯底部件上的半導(dǎo)體發(fā)光元件，上述襯底部件具備：基板；電極部，配置在上述基板的上表面上，與上述半導(dǎo)體發(fā)光元件直接接觸；及反射部，配置在上述基板的上表面上，不與上述半導(dǎo)體發(fā)光元件及上述電極部直接接觸。

根據(jù)用于解決課題的手段中記載的結(jié)構(gòu)，在襯底部件的上表面上與電極部分開設(shè)置反射部，所以不管該反射部是否適合作為電極，都可以使用它。

因此，與使電極具有作為反射膜的功能的方法相比，能夠?qū)雽?dǎo)體發(fā)光元件發(fā)出的輸出光更高效地輸出到外部。

在此，在半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，其特征在于，上述電極部包括形成在上述基板的上述上表面上的電極、以及將上述半導(dǎo)體發(fā)光元件和上述電極電連接的連接部。

由此，襯底部件上的布線圖案等的電極和半導(dǎo)體發(fā)光元件由凸塊和接合線等連接部連接。

在此，在半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，其特征在于，上述反射部的光反射率比上述電極高。

由此，反射部的反射率比電極高，所以與將電極作為反射膜使用的情況相比，也能夠更多地反射半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)出的光。

因此，可以提高半導(dǎo)體發(fā)光裝置的發(fā)光效率。

這里，在半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，其特征在于，上述反射部由金屬形成，上述電極比形成上述反射部的金屬難以產(chǎn)生電遷移。

這樣，電極與反射部相比，是難以產(chǎn)生電遷移的金屬，所以是比反射部更適合作為電極的材質(zhì)，能夠抑制由電遷移導(dǎo)致的電極間短路故障的發(fā)生。

另一方面，反射部是反射率比電極高的材質(zhì)，因此，可以容易選擇適合各種用途的材質(zhì)。

這里，在半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，其特征在于，上述反射部由Ag、包含Ag的合金、包含Ag、Bi、Nd的合金、包含Ag、Au、Sn的合金、Al、包含Al的合金、或包含Al、Nd的合金形成。

由此，可以提高反射部的反射率。

在此，在半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，其特征在于，上述反射部由Ag或包含Ag的合金形成；在上述電極由Au或以Au為主成分的合金形成時(shí)，上述半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)出的光的波長帶是大約340nm以上、大約800nm以下；上述電極由Pt或以Pt為主成分的合金形成時(shí)，上述波長帶是大約350nm以上、大約800nm以下；上述電極由Cu或以Cu為主成分的合金形成時(shí)，上述波長帶是大約350nm以上、大約800nm以下；上述電極由Ni或以Ni為主成分的合金形成時(shí)，上述波長帶是大約340nm以上、大約800nm以下；上述電極由Rh或以Rh為主成分的合金形成時(shí)，上述波長帶是大約370nm以上、大約800nm以下；上述電極由Al或以Al為主成分的合金形成時(shí)，上述波長帶是大約460nm以上、大約800nm以下。

由此，Ag或包含它的合金是反射部，Au、Pt、Cu、Ni、Rh、Al是各電極的情況下，在上述波長帶中，反射部的反射率比電極的反射率高。