[發明專利]晶體單元無效
| 申請號: | 200910132352.1 | 申請日: | 2009-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN101552243A | 公開(公告)日: | 2009-10-07 |
| 發明(設計)人: | 原浩一;小原茂 | 申請(專利權)人: | 日本電波工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/15 | 分類號: | H01L23/15;H01L23/488;H01L23/02 |
| 代理公司: | 北京泛誠知識產權代理有限公司 | 代理人: | 文 琦;陳 波 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶體 單元 | ||
相關申請的交叉參考
本申請要求2008年4月2日提交的日本專利申請No.2008-095800 的優先權,其整個主題結合于此供參考。
技術領域
本發明涉及一種通過電阻焊接或冷焊的非常穩定的晶體單元的技 術領域,并且特別是涉及一種其單元基板由陶瓷材料形成的晶體單元 (crystal?unit)。
背景技術
非常穩定的晶體單元通常用作使用加熱器的恒溫型晶體單元,并 且不受環境溫度的影響。因此,這種晶體單元能夠精確地保持其頻率 穩定性(例如,10ppb或更小),并且在通信裝置中被應用在用于基站 的振蕩器中。作為這些晶體單元之一,已經提出其晶體元件相對于其 金屬基板被水平地保持的晶體單元(例如,見JP-A-2005-348082)。
圖3A至3C是用于說明相關技術的晶體單元的一個例子的示意 圖。圖3A是除了其蓋之外的相關技術的晶體單元的平面圖,圖3B是 沿著圖3A的O-A線截取的剖視圖,而圖3C是圖3B中的O形虛線所 示部分的放大的剖視圖。
將相關技術的晶體單元200構造成使得形成為例如圓盤形狀的晶 體元件1保持在金屬基板2上,并且用金屬蓋3覆蓋以便氣密地密封 晶體元件1。晶體元件1形成為圓盤形狀而作為AT-切割晶體元件,并 且在其兩個主要表面上具有激勵電極4(4a和4b),并且引出電極5 (5a和5b)延伸以便包括在以120度角度的間隔處的外圓周部分的兩 個位置處的端面。AT-切割晶體元件具有主表面,該主表面是由軸線 (XY′Z′)的X軸線和Z′軸線形成的平表面,該軸線(XY′Z′) 通過定心在晶體軸線(XYZ)的X軸線上的旋轉而重新形成。
金屬基板2具有圍繞基板主體2a的外圓周的金屬凸緣2b。該基板 主體2a用主要由Fe組成的柯伐合金(kovar)形成,以便包含和Co, 并且具有總共為三根的引線7(所謂的氣密端子),并且以每個角度 120度的間隔均勻地設置,以便通過玻璃6穿過金屬基板2而被絕緣。 引線7具有從基板主體2a的主表面伸出的釘頭部分7a。于是,玻璃6 通過兩個主表面攀附引線7。具有凸肩的L形形狀的支架8的水平部分 通過點焊連接于釘頭部分7a。金屬凸緣2b在剖視圖中形成為曲柄形狀, 并且在其一側處的水平部分被焊接到基板主體2a的外圓周上。
于是,晶體元件1的主表面相對于金屬基板2被水平地保持,并 且延伸的引出電極5(5a和5b)的兩個外圓周部分的三個位置和以120 度角與它們分開的外圓周部分用導電的粘結劑(未示出)保持到支架8 的凸肩。于是,由柯伐合金形成為凹形形狀并具有凸緣的金屬蓋3通 過冷焊或電阻焊接而連接于金屬基板2的金屬凸緣2b的另一個水平部 分。
相關技術的晶體單元200與構成振蕩電路的電路元件和其他元件 一起被安裝在固定基片(set?substrate)上。于是,相關技術的晶體單 元200通過加熱結構(未示出)被主要保持在恒定的溫度,以使振蕩 頻率穩定為,例如,1ppb(十億分之幾)或以下。于是,固定基片被 安裝在將被設置到用于基站的通信設施中的盒子中。
然而,在具有上述結構的晶體單元中,金屬基板2具有由柯伐合 金形成的基板主體2a,以及其釘頭部分7a從一個主表面伸出的引線7。 該引線7從一個主表面伸出以便由玻璃6確保氣密性,其中支架8與 其連接的釘頭部分7a伸出。從而,使金屬基板2的基板主體2a的高度 基本上高出引線7的伸出的豎直長度,這引起使晶體單元變得較高的 問題。順便說,要求基板主體2a的厚度為1.3mm,以便由玻璃6確保 氣密性,并且釘頭部分7a的伸出長度設置為0.2mm,并且因此基板主 體2a和釘頭部分7a的總高度為1.5mm。
發明內容
本發明的目的是提供一種非常穩定的晶體單元,其金屬基板被制 成在高度上較小,以促進小型化。
根據本發明的第一方面,提供一種晶體單元,包括:單元基板, 其中金屬凸緣焊接于基板主體的外圓周;由支架保持在單元基板上的 晶體元件;以及連接于金屬凸緣以覆蓋并氣密密封晶體元件的金屬蓋, 其中基板主體由陶瓷材料形成,其中金屬凸緣與其連接的第一金屬薄 膜形成在基板主體的外圓周的表面上,其中,在主體的至少兩個位置 處,第二金屬薄膜形成在主體的內底面上,并且第三金屬薄膜形成在 主體的外底面上,其中第二金屬薄膜和第三金屬薄膜通過通孔相互電 連接,并且其中所述支架連接于第二金屬薄膜。
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