[發(fā)明專(zhuān)利]垂直磁寫(xiě)頭有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910132140.3 | 申請(qǐng)日： | 2009-04-21 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101567191A | 公開(kāi)（公告）日： | 2009-10-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 哈達(dá)亞爾·S·吉爾;蕭文千 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | G11B5/127 | 分類(lèi)號(hào)： | G11B5/127;G11B5/11 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人： | 李昕巍 |
| 地址： | 荷蘭阿*** | 國(guó)省代碼： | 荷蘭;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 垂直 磁寫(xiě)頭 | ||
1.一種磁寫(xiě)頭，包括：
磁寫(xiě)極，具有朝向氣墊面設(shè)置的末端，該磁寫(xiě)極具有橫向相對(duì)的第一和 第二側(cè)面以及從所述第一側(cè)面延伸到所述第二側(cè)面的拖尾邊緣；
拖尾包繞型磁屏蔽件，具有通過(guò)非磁拖尾間隙層與所述拖尾邊緣間隔開(kāi) 的部分以及通過(guò)第一和第二非磁間隙層與所述磁寫(xiě)極的所述第一和第二側(cè) 面分隔開(kāi)的第一和第二側(cè)部分，所述拖尾包繞型磁屏蔽件由磁材料構(gòu)成，所 述磁材料具有小于500的磁導(dǎo)率。
2.如權(quán)利要求1所述的磁寫(xiě)頭，其中所述拖尾包繞型磁屏蔽件包括選自 由CoFeCr、CoFeP、CoFeCu和CoFeB構(gòu)成的組的材料。
3.如權(quán)利要求1所述的磁寫(xiě)頭，其中所述拖尾包繞型磁屏蔽件包括具有 20-35原子百分比的X的CoFeX，X選自P、Cu和B構(gòu)成的組。
4.如權(quán)利要求1所述的磁寫(xiě)頭，其中所述拖尾包繞型磁屏蔽件包括 CoFeP或CoFeB。
5.如權(quán)利要求1所述的磁寫(xiě)頭，其中所述拖尾包繞型磁屏蔽件包括具有 20-35原子百分比的X的CoFeX，X是P或B。
6.如權(quán)利要求1所述的磁寫(xiě)頭，其中所述拖尾包繞型磁屏蔽件包括 CoFeB。
7.如權(quán)利要求1所述的磁寫(xiě)頭，其中所述拖尾包繞型磁屏蔽件包括具有 20-35原子百分比的B的CoFeB。
8.如權(quán)利要求1所述的磁寫(xiě)頭，其中所述拖尾包繞型磁屏蔽件包括 CoFeP。
9.如權(quán)利要求1所述的磁寫(xiě)頭，其中所述拖尾包繞型磁屏蔽件包括具有 20-35原子百分比的P的CoFeP。
10.一種磁寫(xiě)頭，包括：
磁寫(xiě)極，具有朝向氣墊面設(shè)置的末端，該磁寫(xiě)極具有橫向相對(duì)的第一和 第二側(cè)面以及從所述第一側(cè)面延伸到所述第二側(cè)面的拖尾邊緣；
第一和第二磁側(cè)屏蔽件，從所述磁寫(xiě)極的第一和第二側(cè)面橫向向外延 伸，所述第一和第二磁側(cè)屏蔽件通過(guò)第一和第二非磁側(cè)間隙層與所述磁寫(xiě)極 的第一和第二側(cè)面分隔開(kāi)，所述第一和第二磁側(cè)屏蔽件每個(gè)由具有小于500 的磁導(dǎo)率的材料構(gòu)成。
11.如權(quán)利要求10所述的磁寫(xiě)頭，其中所述第一和第二磁側(cè)屏蔽件每個(gè) 包括選自由CoFeCr、CoFeP、CoFeCu和CoFeB構(gòu)成的組的材料。
12.如權(quán)利要求10所述的磁寫(xiě)頭，其中所述第一和第二磁側(cè)屏蔽件每個(gè) 包括具有20-35原子百分比的X的CoFeX，X選自P、Cu和B構(gòu)成的組。
13.如權(quán)利要求10所述的磁寫(xiě)頭，其中所述第一和第二磁側(cè)屏蔽件每個(gè) 包括CoFeP或CoFeB。
14.如權(quán)利要求10所述的磁寫(xiě)頭，其中所述第一和第二磁側(cè)屏蔽件每個(gè) 包括具有20-35原子百分比的X的CoFeX，X是P或B。
15.如權(quán)利要求10所述的磁寫(xiě)頭，其中所述第一和第二磁側(cè)屏蔽件每個(gè) 包括CoFeP。
16.如權(quán)利要求10所述的磁寫(xiě)頭，其中所述第一和第二磁側(cè)屏蔽件每個(gè) 包括具有20-35原子百分比的P的CoFeP。
17.如權(quán)利要求10所述的磁寫(xiě)頭，其中所述第一和第二磁側(cè)屏蔽件每個(gè) 包括CoFeB。
18.如權(quán)利要求10所述的磁寫(xiě)頭，其中所述第一和第二磁側(cè)屏蔽件每個(gè) 包括具有20-35原子百分比的B的CoFeB。
19.一種磁寫(xiě)頭，包括：
磁寫(xiě)極，具有朝向氣墊面設(shè)置的末端，該磁寫(xiě)極具有橫向相對(duì)的第一和 第二側(cè)面以及從所述第一側(cè)面延伸到所述第二側(cè)面的拖尾邊緣；
拖尾磁屏蔽件，通過(guò)非磁拖尾間隙層與所述磁寫(xiě)極的拖尾邊緣分隔開(kāi)， 所述拖尾磁屏蔽件由具有小于500的磁導(dǎo)率的磁材料構(gòu)成。
20.如權(quán)利要求19所述的磁寫(xiě)頭，其中所述拖尾磁屏蔽件包括選自由 CoFeCr、CoFeP、CoFeCu和CoFeB構(gòu)成的組的材料。
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