[發(fā)明專利]穿通電極、電路板、半導體封裝及堆疊半導體封裝

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910132131.4
• 申請日: 2009-04-21
• 公開（公告）號: CN101567345A
• 公開（公告）日: 2009-10-28
• 發(fā)明（設計）人: 裵漢儁;金鐘薰
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/13;H01L23/488;H01L23/482;H01L23/52;H01L25/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 彭久云

1.一種穿通電極，包括：

芯，設置在穿過部件形成的穿通孔內(nèi)；

穿通電極單元，覆蓋所述芯；

第一金屬層，插設在所述芯和所述穿通電極單元之間；以及

第二金屬層，形成在所述穿通電極單元之上，

其中所述穿通電極單元包括比所述第一金屬層低的熔化溫度的焊料。

2.根據(jù)權利要求1所述的穿通電極，其中所述芯包括絕緣體和金屬中的 任一種。

3.根據(jù)權利要求1所述的穿通電極，其中所述芯的橫向截面區(qū)域是圓 形、多邊形或輪廓不規(guī)則的形狀。

4.根據(jù)權利要求1所述的穿通電極，其中所述第一金屬層和所述第二金 屬層分別包括金屬種子層、金層和鎳層中的至少之一。

5.一種電路板，包括：

板體，具有第一面和在所述第一面的相反側(cè)的第二面，其中穿通孔形成 在所述第一面和所述第二面之間；

第一互連，在所述第一面上或上方，在所述第一面上設置到所述穿通孔 的開口；

第二互連，在所述第二面上或上方，在所述第二面上設置到所述穿通孔 的開口；以及

穿通電極，用于提供所述電路板和安裝在所述電路板上的可封裝部件之 間的電連接或者安裝在所述電路板上的任何兩個或多個堆疊的可封裝部件 之間的電連接，所述穿通電極包括：

芯，在所述穿通孔中沿縱向方向伸長；

穿通電極單元，至少覆蓋伸長的所述芯的縱向表面，其中至少通過所 述穿通電極單元形成導電通路；

第一金屬層，插設在所述芯和所述穿通電極單元之間；以及

第二金屬層，形成在所述穿通電極單元上方，

其中所述穿通電極單元包括比所述第一金屬層低的熔化溫度的焊料。

6.一種半導體封裝，包括：

半導體芯片，具有穿過所述半導體芯片形成的穿通孔；以及

穿通電極，包括：

芯，在所述穿通孔中沿縱向方向伸長；

穿通電極單元，至少覆蓋伸長的所述芯的縱向表面，其中至少通過所 述穿通電極單元形成導電通路；

第一金屬層，插設在所述芯和所述穿通電極單元之間；以及

第二金屬層，形成在所述穿通電極單元上方，

其中所述穿通電極單元包括比所述第一金屬層低的熔化溫度的焊料。

7.根據(jù)權利要求6所述的半導體封裝，還包括：

焊墊，設置在所述穿通電極的外圍并電連接到所述穿通電極單元。

8.根據(jù)權利要求6所述的半導體封裝，其中所述芯包括絕緣體和金屬中 的任一種。

9.根據(jù)權利要求6所述的半導體封裝，其中所述芯的橫向截面區(qū)域是圓 形、多邊形或輪廓不規(guī)則的形狀。

10.根據(jù)權利要求6所述的半導體封裝，其中所述芯的表面和所述穿通 孔的表面之間的間隔的徑向距離是均勻的。

11.根據(jù)權利要求6所述的半導體封裝，其中所述第一金屬層和所述第 二金屬層的每個包括金屬種子層、金層和鎳層中的至少一個。

12.一種堆疊半導體封裝，包括：

第一半導體封裝，具有第一半導體芯片，所述第一半導體芯片具有第一 焊墊，其中穿通孔穿過所述第一半導體芯片和所述第一焊墊形成；

第二半導體封裝，具有第二半導體芯片，所述第二半導體芯片具有第二 焊墊，其中所述第二半導體封裝設置在所述第一半導體封裝上并且所述第二 焊墊阻擋所述穿通孔；以及

穿通電極，包括：

芯，在所述穿通孔中沿縱向方向伸長；

穿通電極單元，至少覆蓋伸長的所述芯的縱向表面，其中至少通過所

述穿通電極單元形成導電通路；

第一金屬層，插設在所述芯和所述穿通電極單元之間；以及

第二金屬層，形成在所述穿通電極單元上方，

其中所述穿通電極單元包括比所述第一金屬層低的熔化溫度的焊料。