[發明專利]具焊墊反射層的發光二極管結構

有效

• 申請號: 200910131544.0
• 申請日: 2009-04-07
• 公開（公告）號: CN101859838A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發明（設計）人: 朱胤丞;潘錫明;簡奉任
• 申請（專利權）人: 裕星企業有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 陳平

1.一種發光二極管結構，其特征在于：包含有：

一發光二極管芯片，其包含有：一基板；一N型半導體層，設置于該基板之上；一發光層，設置于部分該N型半導體層之上；一P型半導體層，設置于該發光層之上；一透明導電層，設置于部分該P型半導體層之上；一第三電極，設置于該透明導電層之上；一第四電極，設置于該N型半導體層之上；

一第一焊墊反射層，設置于該透明導電層與該第三電極之間；及

一第二焊墊反射層，設置于該N型半導體層與該第四電極之間。

2.如權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于：還包含一第一反射層，其設置于該基板之下或該基板與該N型半導體層之間。

3.如權利要求2所述的發光二極管結構，其特征在于：所述第一反射層的材料為選自于鋁、錫、銀、金、金錫合金、金鈹合金、金鍺合金、鉑、鈦、鈀、鍺、銅、鋅、鎳及上述任意組合的其中之一。

4.如權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于：所述基板為絕緣材料。

5.如權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于：所述N型半導體層為N型氮化鎵系半導體。

6.如權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于：所述P型半導體層為P型氮化鎵系半導體。

7.如權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于：所述第一焊墊反射層與該第二焊墊反射層的材料為選自于鋁、錫、銀、金、金錫合金、金鈹合金、金鍺合金、鉑、鈦、鈀、鍺、銅、鋅、鎳及上述任意組合的其中之一。

8.如權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于：所述第二焊墊反射層還設置為L字型結構。

9.如權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于：所述發光層為多重量子井結構。

10.一種發光二極管結構，其特征在于：包含有：

一發光二極管芯片，其包含有：一第三電極；一基板，設置于該第三電極之上；一P型半導體層，設置于該基板之上；一發光層，設置于該P型半導體層之上；一N型半導體層，設置于該發光層之上；一透明導電層，設置于該N型半導體層之上；一第四電極，設置于該透明導電層之上；

一第三焊墊反射層，設置于該透明導電層與該第四電極之間。

11.如權利要求10所述的發光二極管結構，其特征在于：還包含一第二反射層，其設置于該基板與該第三電極之間或該基板與該P型半導體層之間。

12.如權利要求11所述的發光二極管結構，其特征在于：所述第二反射層為選自于鋁、錫、銀、金、金錫合金、金鈹合金、金鍺合金、鉑、鈦、鈀、鍺、銅、鋅、鎳及上述任意組合的其中之一。

13.如權利要求10所述的發光二極管結構，其特征在于：所述基板為非絕緣材料。

14.如權利要求10所述的發光二極管結構，其特征在于：所述N型半導體層為N型氮化鎵系半導體。

15.如權利要求10所述的發光二極管結構，其特征在于：所述P型半導體層為P型氮化鎵系半導體。

16.如權利要求10所述的發光二極管結構，其特征在于：所述第三焊墊反射層的材料為選自于鋁、錫、銀、金、金錫合金、金鈹合金、金鍺合金、鉑、鈦、鈀、鍺、銅、鋅、鎳及上述任意組合的其中之一。

17.如權利要求10所述的發光二極管結構，其特征在于：所述發光層為多重量子井結構。