[發(fā)明專利]多晶硅生長(zhǎng)工藝用坩堝裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910131486.1 | 申請(qǐng)日： | 2009-04-01 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101774583A | 公開(kāi)（公告）日： | 2010-07-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 馮煥培;黎志欣;王軍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 北京京運(yùn)通科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C01B33/021 | 分類號(hào)： | C01B33/021;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 100088北京市西城*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多晶 生長(zhǎng) 工藝 坩堝 裝置 | ||
【權(quán)利要求書(shū)】：
1.一種多晶硅定向凝固生長(zhǎng)爐中工藝用坩堝裝置，主要由方形、長(zhǎng)方形或其它形狀整體石墨坩堝、坩堝內(nèi)涂覆層組成。
2.按權(quán)利要求1所述的裝置構(gòu)成，其特征在于：所述的坩堝材質(zhì)為高純或普通純度石墨，方形、長(zhǎng)方形或其他形狀整體加工制作。
3.按權(quán)利要求1所述的裝置構(gòu)成，且坩堝本體內(nèi)腔有0～15°以內(nèi)的斜度，以利脫模及多晶鑄錠冷凝后膨脹。
4.按權(quán)利要求1所述，坩堝內(nèi)進(jìn)行內(nèi)涂層保護(hù)，采用Si3N4，SiO/SiN或其他材料，其特征在于只噴涂于高純石墨坩堝的內(nèi)表面
5.按權(quán)利要求1所述的裝置構(gòu)成，且坩堝可多次重復(fù)使用于鑄錠過(guò)程。
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