[發(fā)明專利]薄膜硅太陽能電池及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910131230.0
• 申請日: 2009-04-10
• 公開（公告）號: CN101567400A
• 公開（公告）日: 2009-10-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 明承燁
• 申請（專利權(quán)）人: 韓國鐵鋼株式會(huì)社
• 主分類號: H01L31/042
• 分類號: H01L31/042;H01L31/075;H01L31/20;C23C16/44
• 代理公司: 北京萬慧達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 葛 強(qiáng);鄔 玥

1.一種薄膜硅太陽能電池，包括：

層壓在透明基板上的正面透明電極；

層壓在上述正面透明電極上且厚度為12nm至17nm的p型窗層；

層壓在上述p型窗層上且碳濃度為0.5atomic％至3.0atomic％、厚度為3nm至8nm的氫化非晶硅碳化物層；

層壓在上述氫化非晶硅碳化物層上的i型吸光層；

層壓在上述i型吸光層上的n型層；

層壓在上述n型層上的金屬內(nèi)電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜硅太陽能電池，其特征在于：上述p型窗層的導(dǎo)電率為1x10^-6S/cm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜硅太陽能電池，其特征在于：上述p型窗層包括氫化非晶硅碳化物。

4.一種薄膜硅太陽能電池的制造方法，包括：

在透明基板上層壓正面透明電極的階段；

在上述正面透明電極上層壓硅烷濃度為5％至10％、厚度為12nm至17nm的p型窗層的階段；

在上述p型窗層上層壓硅烷濃度為0.5％至5％、厚度為3nm至8nm的氫化非晶硅碳化物層的階段；

在上述氫化非晶硅碳化物層上層壓i型吸光層的階段；

在上述i型吸光層上層壓n型層的階段；

在上述n型層上層壓金屬內(nèi)電極的階段；且

在層壓上述p型窗層的階段和層壓上述氫化非晶硅碳化物層的階段，通過RF?PECVD法或者VHF?PECVD法沉積上述p型窗層和上述氫化非晶硅碳化物層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜硅太陽能電池的制造方法，其特征在于：在層壓上述氫化非晶硅碳化物層的階段，將上述氫化非晶硅碳化物層通過硼原料氣體和SiH₄氣體以100ppm至2000ppm的流量比來形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜硅太陽能電池的制造方法，其特征在于：在層壓上述氫化非晶硅碳化物層的階段，上述氫化非晶硅碳化物層的碳濃度為0.5atomic％至3.0atomic％。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜硅太陽能電池的制造方法，其特征在于：上述p型窗層和上述氫化非晶硅碳化物層由包括硅烷、氫氣、硼原料氣體和碳原料氣體的反應(yīng)氣體形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜硅太陽能電池的制造方法，其特征在于：上述硼原料氣體包含乙硼烷、三甲基硼、三乙基硼之一。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜硅太陽能電池的制造方法，其特征在于：上述碳原料氣體包含甲烷、乙烯、乙炔之一。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜硅太陽能電池的制造方法，其特征在于：沉積上述p型窗層時(shí)，上述透明基板的溫度為100℃至200℃。

11.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜硅太陽能電池的制造方法，其特征在于：沉積上述p型窗層時(shí)，反應(yīng)腔室的基準(zhǔn)壓力為10^-7Torr至10^-5Torr。

12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜硅太陽能電池的制造方法，其特征在于：沉積上述p型窗層時(shí)，反應(yīng)腔室的沉積壓力為0.4Torr至2Torr。

13.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜硅太陽能電池的制造方法，其特征在于：上述p型窗層的導(dǎo)電率為1x10^-6S/cm。