[發(fā)明專利]變壓器內(nèi)的開關(guān)電路以及變壓器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910131212.2
• 申請日: 2009-04-09
• 公開（公告）號(hào): CN101860223A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王清金;陶淦
• 申請（專利權(quán)）人: 青島海信電器股份有限公司
• 主分類號(hào): H02M5/10
• 分類號(hào): H02M5/10;H02M1/44;G01R23/06
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于電子技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種變壓器內(nèi)的開關(guān)電路以及一種變壓器。

背景技術(shù)

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，變壓器的應(yīng)用范圍越來越廣泛，變壓器的各種性能的要求，例如電磁兼容性EMC(Electromagnetic?Compatibility)的要求也越來越高。

電磁兼容性是指設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中符合要求運(yùn)行并不對其環(huán)境中的任何設(shè)備產(chǎn)生無法忍受的電磁干擾的能力，是衡量變壓器性能的重要參數(shù)之一。

如圖1所示，現(xiàn)有的變壓器，包括第一電容2、初級(jí)線圈3、與初級(jí)線圈3相耦合的次級(jí)線圈4以及與次級(jí)線圈4并聯(lián)的第二電容5和第二電阻6，第一電容2與初級(jí)線圈3之間連接有MOS管1，MOS管1在變壓器內(nèi)起開關(guān)作用(MOS管的開關(guān)波形見圖2)。

本發(fā)明人在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有的變壓器至少存在以下問題：

如圖3所示，現(xiàn)有的變壓器內(nèi)MOS管的開關(guān)波形振蕩幅度比較大，會(huì)將很大的能量散發(fā)出去，產(chǎn)生很大的電磁干擾，導(dǎo)致現(xiàn)有的變壓器內(nèi)的電磁兼容性比較差。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種的變壓器內(nèi)的開關(guān)電路以及一種變壓器，解決了現(xiàn)有的變壓器內(nèi)的開關(guān)電路內(nèi)MOS管的開關(guān)波形振蕩幅度比較大，導(dǎo)致變壓器內(nèi)電磁兼容性比較差的技術(shù)問題。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

該變壓器內(nèi)的開關(guān)電路，包括功耗電路、源極和漏極分別與功耗電路相連的MOS管以及并聯(lián)于所述MOS管的源極和漏極之間的吸收電容和吸收電阻，所述吸收電容與所述吸收電阻串聯(lián)。

進(jìn)一步，所述吸收電阻的電阻值與所述開關(guān)電路的阻抗值的比值為0.5～1.5之間。

進(jìn)一步，所述吸收電阻的電阻值與所述開關(guān)電路的阻抗值的比值為1。

進(jìn)一步，所述吸收電容的電容值與所述吸收電阻的電阻值以及所述MOS管的開關(guān)波形振蕩頻率值之積為1/(4π)～1/π之間。

進(jìn)一步，所述吸收電容的電容值與所述吸收電阻的電阻值以及所述MOS管的開關(guān)波形振蕩頻率值之積為1/(2π)。

進(jìn)一步，所述功耗電路包括第一電容、初級(jí)線圈、與所述初級(jí)線圈相耦合的次級(jí)線圈以及與所述次級(jí)線圈并聯(lián)的第二電容和第二電阻，所述MOS管的源極和漏極分別與所述第一電容、所述初級(jí)線圈相連。

進(jìn)一步，所述開關(guān)電路的阻抗值為所述功耗電路的漏感值與所述MOS管的開關(guān)波形振蕩頻率值以及2π之積。

進(jìn)一步，所述漏感值的測量方法，包括以下步驟：

至少一次將測量儀器調(diào)節(jié)至其最大測量頻率的1/4～3/4，然后讀取測量儀器所測得的該變壓器的漏感值；

根據(jù)測量儀器的頻率值及其所對應(yīng)的漏感值繪制變壓器初級(jí)漏感曲線；

根據(jù)經(jīng)驗(yàn)所獲得的較優(yōu)頻率值，從變壓器初級(jí)漏感曲線推測出該較優(yōu)頻率值下變壓器的漏感值。

進(jìn)一步，所述較優(yōu)頻率值為10MHz～14MHz之間。

該變壓器，包括上述本發(fā)明實(shí)施例所提供的變壓器內(nèi)的開關(guān)電路。

進(jìn)一步，該變壓器為FLYBACK變壓器。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供上述技術(shù)方案中的任一技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)：

由于MOS管的源極和漏極之間并聯(lián)有互相串聯(lián)的吸收電容和吸收電阻，吸收電容和吸收電阻能有效的吸收MOS管開關(guān)波形的振蕩能量，從而降低MOS管的開關(guān)波形振蕩的幅度，避免現(xiàn)有的變壓器將太多能量散發(fā)出去，進(jìn)而也避免了電路產(chǎn)生較大的電磁干擾，所以解決了現(xiàn)有的變壓器的開關(guān)電路內(nèi)MOS管的開關(guān)波形振蕩幅度比較大，導(dǎo)致變壓器內(nèi)的電磁兼容性比較差的技術(shù)問題。

此外，由于測量儀器在其最大測量頻率的1/4～3/4尤其1/2時(shí)，既便于觀測測量儀器的數(shù)值又不會(huì)超出其量程，所以該情況下所測量的變壓器的漏感值精確度比較高。通過上述本發(fā)明所提供的變壓器內(nèi)漏感值的測量方法，可以較精確的測量出上述本發(fā)明所提供的變壓器的漏感。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中變壓器的內(nèi)部電路的示意圖；

圖2為圖1所示變壓器中的MOS管的開關(guān)波形示意圖；(圖中V_RO為變壓器次級(jí)線圈反射到初級(jí)線圈的電壓；V_DC表示輸入第一電容上的電壓；V表示電壓。)

圖3為圖1所示變壓器振蕩波形的示意圖；

圖4為本發(fā)明的實(shí)施例所提供的變壓器的內(nèi)部電路的示意圖；

圖5為圖4所示變壓器振蕩波形的示意圖；

圖6為根據(jù)測量儀器的頻率值及其所對應(yīng)的漏感值所繪制的變壓器初級(jí)漏感曲線示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。