[發(fā)明專利]半穿反液晶顯示面板及其下基板的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910131147.3
• 申請日: 2009-04-03
• 公開（公告）號: CN101852954A
• 公開（公告）日: 2010-10-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 詹繡璘;葉政諺;李建璋
• 申請（專利權(quán)）人: 勝華科技股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1333;H01L27/12
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陶鳳波

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半穿反液晶顯示面板(Transflective?Liquid?CrystalDisplay?Panel)及其下基板的制造方法，且特別是涉及一種具有透明底部電極的半穿反液晶顯示面板及其下基板的制造方法。

背景技術(shù)

液晶顯示熒幕(Liquid?Crystal?Display，LCD)依反射方式可分為穿透式(Transmissive)、反射式(Reflective)及半穿反式(Tranflective)三種基本類型。穿透式液晶顯示熒幕經(jīng)由背光光源以達到穿透式顯示，其優(yōu)點為于正常光線及暗光線下，仍能維持良好的顯示效果，然而于戶外陽光下則不易辨識顯示內(nèi)容。反射式液晶顯示熒幕不需外加光源，而是使用環(huán)境周圍的光線，因此于外界光線充足的環(huán)境下均有良好的顯示效果，然而于外界光線不足的環(huán)境下則不易辨識顯示內(nèi)容。半穿反式液晶顯示熒幕則結(jié)合穿透式和反射式兩者的優(yōu)點。

以半穿反式液晶顯示面板來講，儲存電容結(jié)構(gòu)通常是由第一金屬層重疊于第二金屬層而形成，即所謂的金屬-絕緣層-金屬(Metal?Insulator?Metal，MIM)儲存電容。而這一種MIM儲存電容并不透光，因此為了不影響像素結(jié)構(gòu)的穿透區(qū)開口率，都是形成于像素結(jié)構(gòu)的反射區(qū)內(nèi)。

然而，現(xiàn)今的顯示面板的解析度要求愈來愈高。為了符合此趨勢，像素結(jié)構(gòu)的面積愈作愈小。如此，使得像素結(jié)構(gòu)的反射區(qū)的面積相對縮小，因而導(dǎo)致儲存電容變得不足而影響到顯示品質(zhì)。此外，若欲滿足儲存電容的設(shè)計值而增加儲存電容結(jié)構(gòu)的面積，則儲存電容結(jié)構(gòu)的不透光的金屬需延伸至像素結(jié)構(gòu)的穿透區(qū)，因此降低了像素結(jié)構(gòu)的穿透區(qū)開口率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明有關(guān)于一種半穿反液晶顯示面板及其下基板的制造方法。位于半穿反液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的穿透區(qū)的儲存電容結(jié)構(gòu)，為利用透光的透明底部電極與透明像素電極所形成的透光結(jié)構(gòu)，因此并不會降低像素結(jié)構(gòu)的穿透區(qū)開口率，并且又能增加儲存電容的值，滿足高解析度顯示面板的設(shè)計需求。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提出一種半穿反液晶顯示面板。半穿反液晶顯示面板包括上基板、液晶分子層及下基板。液晶分子層包括多個液晶分子。下基板實質(zhì)上與上基板平行配置，液晶分子層位于上基板及下基板之間。下基板包括底板、有源元件陣列結(jié)構(gòu)層、多個透明像素電極、墊高層及反射金屬層。有源元件陣列結(jié)構(gòu)層包括形成于底板上的多個透明底部電極、多個晶體管結(jié)構(gòu)、至少一絕緣層、數(shù)條掃描線和數(shù)條數(shù)據(jù)線，均形成于底板上。這些數(shù)據(jù)線及這些掃描線定義出多個像素，而這些透明底部電極其中之一的至少一部分與對應(yīng)的透明像素電極的至少一部分位于對應(yīng)的像素的穿透區(qū)。絕緣層覆蓋透明底部電極。多個透明像素電極形成于有源元件陣列結(jié)構(gòu)層上，每個透明像素電極與對應(yīng)的透明底部電極部分重疊，以形成多個儲存電容結(jié)構(gòu)。墊高層形成于有源元件陣列結(jié)構(gòu)層上，墊高層具有多個凹槽以分別露出透明像素電極，并使液晶分子的排列呈現(xiàn)多域配向(multi-domain)。反射金屬層形成于墊高層上，用以反射光線。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提出一種半穿反液晶顯示面板的下基板的制造方法。半穿反液晶顯示面板還包括上基板及液晶分子層，液晶分子層包括多個液晶分子。下基板實質(zhì)上與上基板平行配置，液晶分子層位于上基板及下基板之間。制造方法包括以下步驟。提供下基板，下基板包括底板。形成有源元件陣列結(jié)構(gòu)層于底板，有源元件陣列結(jié)構(gòu)層包括形成于底板上的多個透明底部電極、多個晶體管結(jié)構(gòu)、至少一絕緣層、數(shù)條掃描線及數(shù)條數(shù)據(jù)線，均形成于底板上，而第一絕緣層覆蓋透明底部電極。這些數(shù)據(jù)線及這些掃描線定義出多個像素，而這些透明底部電極之一者的至少一部分與對應(yīng)的透明像素電極的至少一部分位于對應(yīng)的像素的穿透區(qū)。絕緣層覆蓋透明底部電極。形成透明像素電極于有源元件陣列結(jié)構(gòu)層上，每個透明像素電極與對應(yīng)的透明底部電極部分重疊，以形成多個儲存電容結(jié)構(gòu)。形成墊高層于有源元件陣列結(jié)構(gòu)層上，墊高層具有多個凹槽以分別露出該些透明像素電極，并使液晶分子的排列呈現(xiàn)多域配向。以及形成反射金屬層于墊高層上，用以反射光線。

為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合附圖，作詳細說明如下：

附圖說明

圖1繪示依照本發(fā)明優(yōu)選實施例的半穿反液晶顯示面板的示意圖。

圖2繪示圖1中沿著方向V1觀看局部的下基板的示意圖。

圖3繪示圖2中下基板沿著方向3-3’的剖視圖。

圖4繪示依照本發(fā)明優(yōu)選實施例的半穿反液晶顯示面板的下基板的制造方法流程圖。

圖5A繪示圖3的底板的示意圖。