[發明專利]固體攝像裝置、固體攝像裝置制造方法以及電子設備

有效

• 申請號: 200910131047.0
• 申請日: 2009-04-20
• 公開（公告）號: CN101567377A
• 公開（公告）日: 2009-10-28
• 發明（設計）人: 田谷圭司
• 申請（專利權）人: 索尼株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/225;H01L21/82;H01L21/8234
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 陳桂香;武玉琴

1.一種固體攝像裝置，其包括：

像素部；

周邊電路部；

在所述像素部中除了隔離部上方的部分或全部區域之外的區域中形 成的硅化阻擋層；以及

在所述周邊電路部中形成的具有金屬硅化物層的晶體管，

其中，所述隔離部用于將所述像素部中的像素彼此分隔開。

2.如權利要求1所述的固體攝像裝置，還包括在所述像素部中的像 素晶體管的柵極電極上的金屬硅化物層。

3.如權利要求1所述的固體攝像裝置，其中，所述硅化阻擋層用作 像素晶體管的柵極電極的側壁層。

4.一種固體攝像裝置制造方法，其包括如下步驟：

在設有各自包含隔離部、光電轉換元件和像素晶體管的多個像素的 像素部中形成硅化阻擋層；

從所述像素部中的所述隔離部上方的部分或全部區域選擇性地除去 所述硅化阻擋層；

在所述像素部和周邊電路部中形成金屬膜，并在所述周邊電路部中 形成金屬硅化物層；以及

除去所述金屬膜的殘余物，

其中，所述隔離部用于將所述像素部中的所述多個像素彼此分隔開。

5.如權利要求4所述的固體攝像裝置制造方法，其中，

在選擇性地除去所述硅化阻擋層的步驟中，選擇性地除去在所述像 素晶體管的柵極電極上方的所述硅化阻擋層；并且

在形成所述金屬硅化物層的步驟中，在所述像素晶體管的柵極電極 上形成所述金屬硅化物層。

6.如權利要求4所述的固體攝像裝置制造方法，其中，在所述像素 部中形成所述硅化阻擋層并使所述硅化阻擋層用作所述像素晶體管的柵 極電極的側壁層。

7.一種電子設備，其包括：

固體攝像裝置，所述固體攝像裝置包含像素部、周邊電路部、在所 述像素部中除了隔離部上方的部分或全部區域之外的區域中形成的硅化 阻擋層和在所述周邊電路部中形成的具有金屬硅化物層的晶體管；

用于將入射光引入到所述固體攝像裝置的光電轉換元件中的光學系 統；以及

用于處理所述固體攝像裝置的輸出信號的信號處理電路，

其中，所述隔離部用于將所述像素部中的像素彼此分隔開。

8.如權利要求7所述的電子設備，其中，在所述固體攝像裝置中的 像素晶體管的柵極電極的延伸到所述隔離部上的部分處設置有金屬硅化 物層。

9.如權利要求7所述的電子設備，其中，在所述固體攝像裝置中的 像素晶體管的柵極電極上設置有金屬硅化物層。

10.如權利要求7所述的電子設備，其中，所述固體攝像裝置的硅 化阻擋層用作像素晶體管的柵極電極的側壁層。