[發明專利]用于抵抗過電流的保護速度控制器的裝置

無效

• 申請號: 200910130774.5
• 申請日: 2009-02-23
• 公開（公告）號: CN101515758A
• 公開（公告）日: 2009-08-26
• 發明（設計）人: 菲利普·鮑德森;霍西尼·鮑拉特斯
• 申請（專利權）人: 施耐德東芝換流器歐洲公司
• 主分類號: H02M5/45
• 分類號: H02M5/45;H02M3/07;H02H7/12
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 錢大勇

1.一種速度控制器，包括：

-作為輸入的整流模塊(12)，從供電網絡(A)中獲取交流電壓，在電 源總線(10，11)上產生直流電壓；

-總線電容器(Cb)，連接在電源總線的正極線路和負極線路之間；和

-逆變模塊(13)，由電源總線供電，受控傳遞可變電壓到電氣負載(2)；

其特征在于：

-控制器(1)包括保護裝置(14)，用于保護控制器抵抗供電網絡(A) 中由于電壓變化而產生的過電流；

并且，其特征在于保護裝置包括：

-第一電子開關，位于電源總線上，串聯在整流模塊(12)和總線電容 器(Cb)之間；

-第一電阻器(R1)，與第一電子開關并聯配置；

-組合部件，包括串聯配置的第二電子開關(T2)和第二電阻器(R2)， 該組合部件和第一電子開關及第一電阻器(R1)以并聯的方式配置；

-控制裝置(140)，用于控制第一電子開關(T1)和第二電子開關(T2)。

2.根據權利要求1所述的控制器，其特征在于：所述保護裝置(14) 配置在電源總線的正極線路(10)上。

3.根據權利要求1或2所述的控制器，其特征在于：所述第一電子開 關是JFET晶體管(T1)。

4.根據權利要求3所述的控制器，其特征在于：所述JFET晶體管(T1) 由碳化硅制成。

5.根據權利要求3所述的控制器，其特征在于：所述JFET晶體管(T1) 是常導通的。

6.根據權利要求3所述的控制器，其特征在于：用于控制所述JFET晶 體管(T1)的所述控制裝置(140)連接在所述電源總線的正極線路(10) 和負極線路(11)之間。

7.根據權利要求6所述的控制器，其特征在于：這些控制裝置(140) 包含可向所述JFET晶體管施加控制電壓的電荷泵電路。

8.根據權利要求3所述的控制器，其特征在于：第二電子開關為常關 斷型。

9.根據權利要求8所述的控制器，其特征在于：用于控制第二電子開 關的控制裝置包括可對第二電子開關(T2)施加控制電壓的電荷泵電路。

10.根據權利要求3所述的控制器，其特征在于：控制裝置(140)包 括存儲裝置，用于存儲一個第二門限值(S2)，當所述JFET晶體管(T1) 引腳漏極和引腳源極之間測得的電壓(V)超過該第二門限值(S2)時，所 述JFET晶體管(T1)被控制裝置(140)關斷。

11.根據權利要求10所述的控制器，其特征在于：存儲裝置存儲預先 設定的時間段，在該時間段的末端，如果在JFET晶體管(T1)引腳漏極和 引腳源極之間測得的電壓(V)保持高于所述第二門限值(S2)，第二電子開 關(T2)被導通。

12.根據權利要求3所述的控制器，其特征在于：控制裝置(140)包 括存儲裝置，用于存儲一個第一門限值(S1)，當在電源總線的正極線路(10) 和負極線路(11)之間測得的電壓超過該門限值時，第二電子開關(T2)被 導通。

13.根據權利要求1所述的控制器，其特征在于：它還包括了保護整流 模塊(12)抵抗過電壓的裝置。

14.根據權利要求13所述的控制器，其特征在于：用于保護整流模塊 (12)抵抗過電壓的所述裝置包括常導通的JFET限制晶體管(T3)和齊納 二極管(Z1)，常導通的JFET限制晶體管(T3)和齊納二極管(Z1)并聯 連接在電源總線的正極線路(10)和負極線路(11)之間。

15.根據權利要求13所述的控制器，其特征在于：用于保護整流模塊 抵抗過電壓的裝置包括GMOV可變電阻器(M1)，它連接在電源總線的正 極線路(10)和負極線路(11)之間。