[發明專利]快閃存儲器的工藝及應用于快閃存儲器的絕緣結構

有效

• 申請號: 200910130682.7
• 申請日: 2009-03-27
• 公開（公告）號: CN101847607A
• 公開（公告）日: 2010-09-29
• 發明（設計）人: 王獻德;溫增飛
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L21/762;H01L27/115
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種快閃存儲器的制作方法，包含：

提供一基底，該基底表面依序覆蓋一第一介電層、一第一導電層、一第一掩模層和一第二掩模層；

于該第二掩模層、該第一掩模層、該第一導電層、該第一介電層和該基底中，形成一第一溝槽，其中設于該第二導電層中的部分該第一溝槽具有一第一寬度，而設于該第一介電層、該第一導電層、該第一掩模層和該基底中的部分該第一溝槽具有一第二寬度，其中該第一寬度大于該第二寬度；

以一絕緣材料填滿該第一溝槽，且該絕緣材料的上表面與該第二掩模層的上表面切齊；

移除該第二掩模層以及部分該第一掩模層，暴露出該第一導電層；

形成一第二導電層覆蓋該第一導電層和該絕緣材料；

在該第二導電層中形成一第二溝槽，并暴露該絕緣材料的上表面；

形成一第二介電層順應地覆蓋該第二溝槽表面和該第二導電層表面；以及

形成一第三導電層覆蓋該第二介電層并且填滿該第二溝槽。

2.如權利要求1所述的制作方法，其中形成該第一溝槽的方法包含：

形成一第三掩模層覆蓋該第二掩模層；

以光掩模定義該第三掩模層，并圖案化該第三掩模層；

以圖案化的該第三掩模層為一第一掩模，蝕刻該第二掩模層、該第一掩模層、該第一導電層、該第一介電層和該基底，形成一第三溝槽；

移除該第三掩模層；以及

將該第二掩模層退縮，以定義該第一溝槽的該第一寬度。

3.如權利要求1所述的制作方法，其中形成該第一溝槽的方法包含：

形成一第三掩模層覆蓋該第二掩模層；

以一光掩模定義該第三掩模層，并圖案化該第三掩模層；

以圖案化的該第三掩模層為第一掩模，蝕刻該第二掩模層、該第一掩模層、該第一導電層、該第一介電層和該基底，形成第三溝槽；

對該第三掩模層進行緊縮工藝以定義該第一溝槽的該第一寬度；

以該緊縮后的第三掩模層為第二掩模，蝕刻該第二掩模層；以及

移除該第三掩模層。

4.如權利要求2、3所述的制作方法，其中形成該第二溝槽的方法包含：

在該第二導電層上形成第四掩模層；

以該光掩模定義該第四掩模層，并圖案化該第四掩模層；

形成一間隙壁于該圖案化的第四掩模層的側壁；

以該圖案化的第四掩模層和該間隙壁為第三掩模，蝕刻該第二導電層；以及

移除該第四掩模層。

5.如權利要求1所述的制作方法，其中該第一溝槽的該第一寬度與該第一溝槽的該第二寬度構成T字狀。

6.如權利要求1所述的制作方法，其中該第一介電層包含氧化硅，該第一導電層包含多晶硅，該第一掩模層包含氧化硅，該第二掩模層包含氮化硅。

7.如權利要求1所述的制作方法，其中該絕緣材料作為淺溝槽隔離。

8.如權利要求1所述的制作方法，其中該第二介電層包含二氧化硅-氮化硅-二氧化硅。

9.一種快閃存儲器制作方法，包含：

提供一基底，該基底表面依序覆蓋一第一介電層、一第一導電層、一第一掩模層和一第二掩模層；

在該第二掩模層、該第一掩模層、該第一導電層、該第一介電層和該基底中，形成第一溝槽，其中設于該第二掩模層、該第一掩模層和該第一導電層中的部分該第一溝槽具有第一寬度，設于該第一介電層和該基底中的部分該第一溝槽具有第二寬度；

以絕緣材料填滿該第一溝槽，且該絕緣材料的上表面與該第二掩模層的上表面切齊；

移除該第二掩模層以及該第一掩模層，暴露出該第一導電層；

形成第二導電層覆蓋該第一導電層和該絕緣材料；

在該第二導電層中形第二溝槽，并暴露該絕緣材料的上表面；

形成第二介電層順應地覆蓋該第二溝槽表面和該第二導電層表面；以及

形成第三導電層覆蓋該第二介電層并且填滿該第二溝槽。