[發明專利]積層型壓電元件無效
| 申請號： | 200910130272.2 | 申請日： | 2004-09-22 |
| 公開（公告）號： | CN101540367A | 公開（公告）日： | 2009-09-23 |
| 發明（設計）人： | 岡村健;坂上勝伺;近藤光央 | 申請（專利權）人： | 京瓷株式會社 |
| 主分類號： | H01L41/083 | 分類號： | H01L41/083;H01L41/22;H01L41/18 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 李香蘭 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 積層型 壓電 元件 | ||
【權利要求書】：
1.一種積層型壓電元件，其交替地積層壓電體層與內部電極層而構成，其特征在于，
所述壓電體層以PbZrO3-PbTiO3為主成分，Si含有量為5ppm以上且不足100ppm，所述Si向晶體晶粒邊界偏析。
2.如權利要求1所述的積層型壓電元件，其特征在于，所述晶體晶粒邊界的厚度在1nm以下。
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