[發(fā)明專利]一種利用薄膜電晶體作為非易失性存儲器的方法及其裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910130080.1 | 申請日： | 2009-04-14 |
| 公開（公告）號： | CN101866690A | 公開（公告）日： | 2010-10-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張鼎張;簡富彥;陳德智 | 申請（專利權(quán)）人： | 宏碁股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/06 | 分類號： | G11C16/06;G11C16/10;G11C16/14;H01L29/786;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市浩天知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 11276 | 代理人： | 許志勇 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 利用 薄膜 電晶體 作為 非易失性存儲器 方法 及其 裝置 | ||
1.一種電荷儲存于薄膜電晶體基底的方法，其特征在于，一薄膜電晶體具有中間為一基底以及兩端分別為一漏極、一源極的一半導(dǎo)體層，設(shè)置于具有一絕緣表面的一基板上，一柵極絕緣層設(shè)置于該半導(dǎo)體層上，以及一柵極設(shè)置于該柵極絕緣層上，該電荷儲存于薄膜電晶體基底的方法包含：
一寫入動作，其包括在該薄膜電晶體的漏極施加一第一漏極電壓，在該薄膜電晶體的柵極施加一柵極電壓，以及將該薄膜電晶體的源極接地，其中，當(dāng)該柵極電壓與該第一漏極電壓所產(chǎn)生的焦?fàn)枱幔阋栽斐勺晕壹訜嵝?yīng)，該薄膜電晶體中的多數(shù)載流子注入該薄膜電晶體中的基底，并造成該薄膜電晶體起始電壓改變，完成寫入動作；以及
一擦除動作，其包括在該薄膜電晶體的漏極施加一第二漏極電壓，在該薄膜電晶體的源極施加一源極電壓，以及將該薄膜電晶體的柵極接地，其中，當(dāng)該第二漏極電壓與該源極電壓之間的電壓差，足以讓該基底中的多數(shù)載流子克服該基底中晶界所造的能障時，兩者間偏壓使該存儲器的該半導(dǎo)體層中的多數(shù)載流子在基底中移除。
2.如權(quán)利要求1所述的一種電荷儲存于薄膜電晶體基底的方法，其特征在于，該柵極電壓以及該第一漏極電壓為正電壓。
3.如權(quán)利要求1所述的一種電荷儲存于薄膜電晶體基底的方法，其特征在于，該薄膜電晶體與一般薄膜電晶體構(gòu)成的元件整合于相同基板上。
4.一種非易失性存儲器裝置，提供一數(shù)據(jù)寫入動作以及一數(shù)據(jù)擦除動作，其特征在于，包含：
一存儲器，用于存取數(shù)據(jù)，其包含至少一存儲單元以陣列方式所構(gòu)成，該存儲單元包含一半導(dǎo)體層設(shè)置于具有一絕緣表面的一基板上，一柵極絕緣層設(shè)置于該半導(dǎo)體層上，以及一柵極設(shè)置于該柵極絕緣層上；
一邏輯電路，用于控制數(shù)據(jù)，其中，該存儲單元的該半導(dǎo)體層由一基底以及分別位于該基底兩端的一源極及一漏極所構(gòu)成，該存儲單元為一般薄膜電晶體結(jié)構(gòu)，且該存儲器以及該邏輯電路整合于所述基板上。
5.如權(quán)利要求4所述的一種非易失性存儲器裝置，其特征在于，該數(shù)據(jù)寫入動作，包括：
在該存儲單元的該漏極施加一第一漏極電壓；
在該存儲單元的該柵極施加一柵極電壓；以及
將該存儲單元的該源極接地。
6.如權(quán)利要求5所述的一種非易失性存儲器裝置，其特征在于，當(dāng)該柵極電壓與該第一漏極電壓所產(chǎn)生的焦?fàn)枱幔阋栽斐勺晕壹訜嵝?yīng)，該存儲單元中的多數(shù)載流子注入該存儲單元中的基底，并造成該存儲單元起始電壓改變，完成寫入動作。
7.如權(quán)利要求5所述的一種非易失性存儲器裝置，其特征在于，該柵極電壓以及該第一漏極電壓為正電壓。
8.如權(quán)利要求4所述的一種非易失性存儲器裝置，其特征在于，該數(shù)據(jù)擦除動作的方法，包括：
在該存儲單元的漏極施加一第二漏極電壓；
在該存儲單元的源極施加一源極電壓；以及
將該存儲單元的該柵極接地。
9.如權(quán)利要求8所述的一種非易失性存儲器裝置，其特征在于，當(dāng)該第二漏極電壓與該源極電壓之間的電壓差，足以讓基底中的多數(shù)載流子克服基底中晶界所造的能障時，兩者間偏壓使該存儲單元的該半導(dǎo)體層中的多數(shù)載流子于基底中移除。
10.如權(quán)利要求4所述的一種非易失性存儲器裝置，其特征在于，該邏輯電路包含至少一薄膜電晶體，且該薄膜電晶體與該存儲器整合于該基板上。
11.如權(quán)利要求10所述的一種非易失性存儲器裝置，其特征在于，該基板為低溫多晶硅基板。
12.如權(quán)利要求11所述的一種非易失性存儲器裝置，其特征在于，該非易失性存儲器與相同制程的一般液晶顯示器面板作結(jié)合，整合于同一低溫多晶硅基板上。
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