[發明專利]等離子體蝕刻方法

有效

• 申請號: 200910129588.X
• 申請日: 2009-03-31
• 公開（公告）號: CN101552186A
• 公開（公告）日: 2009-10-07
• 發明（設計）人: 本田昌伸;中山博之;佐藤學
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍 淳

1.一種等離子體蝕刻方法，其在能夠抽真空的處理容器內隔開規 定的間隔平行地配置第一電極和第二電極，與所述第一電極相對地由 第二電極支承被處理基板，將所述處理容器內真空排氣至規定的壓力， 向所述第一電極與所述第二電極之間的處理空間供給期望的蝕刻氣 體，向所述第一電極或第二電極施加第一高頻，在所述處理空間生成 所述蝕刻氣體的等離子體，在所述等離子體下蝕刻所述基板的表面的 被加工膜，該等離子體蝕刻方法的特征在于：

在蝕刻處理中，對在所述處理容器內離開所述基板的位置與所述 等離子體中的反應種進行反應而被蝕刻的規定的部件施加直流電壓，

在至少將與所述蝕刻氣體相關的工藝參數保持一定的規定的蝕刻 工藝中，根據預先設定的時間-電壓函數使所述直流電壓在時間軸上 可變，使得在所述被加工膜獲得期望的蝕刻特性。

2.根據權利要求1所述的等離子體蝕刻方法，其特征在于：

在所述蝕刻工藝中使所述直流電壓以外的全部的工藝參數保持一 定。

3.根據權利要求1或權利要求2所述的等離子體蝕刻方法，其特 征在于：

使所述直流電壓為負極性的值且可變，在所述蝕刻工藝中，在對 所述被加工膜的蝕刻增速時使所述直流電壓的絕對值減小，在對所述 被加工膜的蝕刻減速時使所述直流電壓的絕對值增大。

4.根據權利要求1或權利要求2所述的等離子體蝕刻方法，其特 征在于：

使所述直流電壓為負極性的值且可變，在所述蝕刻工藝中，在向 所述被加工膜的沉積增速時使所述直流電壓的絕對值增大，在向所述 被加工膜的沉積減速時使所述直流電壓的絕對值減小。

5.一種等離子體蝕刻方法，其在能夠抽真空的處理容器內隔開規 定的間隔平行地配置第一電極和第二電極，與所述第一電極相對地由 第二電極支承被處理基板，將所述處理容器內真空排氣至規定的壓力， 向所述第一電極與所述第二電極之間的處理空間供給期望的蝕刻氣 體，向所述第一電極或第二電極施加第一高頻，在所述處理空間生成 所述蝕刻氣體的等離子體，在所述等離子體下蝕刻所述基板表面的被 加工膜，該等離子體蝕刻方法的特征在于：

在蝕刻處理中，對在所述處理容器內離開所述基板的位置與所述 等離子體中的反應種進行反應而被蝕刻的規定的部件施加直流電壓，

在至少將與所述蝕刻氣體相關的工藝參數保持一定的規定的蝕刻 工藝中，根據預先設定的時間-占空比函數，使所述直流電壓在時間 軸上每一定周期在第一電壓值與第二電壓值之間切換，使得在所述被 加工膜獲得期望的蝕刻特性。

6.根據權利要求5所述的等離子體蝕刻方法，其特征在于：

在所述蝕刻工藝中使所述直流電壓以外的全部的工藝參數保持一 定。

7.根據權利要求5或權利要求6所述的等離子體蝕刻方法，其特 征在于：

所述第一和第二電壓值取為負極性的值，

所述第一電壓值的絕對值比所述第二電壓值的絕對值大，

在所述蝕刻工藝中，在對所述被加工膜的蝕刻增速時，使所述直 流電壓具有所述第一電壓值的期間的占空比減小，在對所述被加工膜 的蝕刻減速時，使所述直流電壓具有所述第一電壓值的期間的占空比 增大。

8.根據權利要求5或權利要求6所述的等離子體蝕刻方法，其特 征在于：

所述第一和第二電壓值取為負極性的值，

所述第一電壓值的絕對值比所述第二電壓值的絕對值大，

在所述蝕刻工藝中，在向所述被加工膜的沉積增速時，使所述直 流電壓具有所述第一電壓值的期間的占空比增大，在向所述被加工膜 的沉積減速時，使所述直流電壓具有所述第一電壓值的期間的占空比 減小。

9.根據權利要求1、2、5和6中任一項所述的等離子體蝕刻方法， 其特征在于：

所述直流電壓施加部件為所述第一電極。