[發(fā)明專利]釹鐵硼磁體晶界擴(kuò)散工藝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910129479.8 | 申請(qǐng)日： | 2009-03-25 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101845637A | 公開（公告）日： | 2010-09-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 羅陽(yáng);羅惇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 羅陽(yáng);羅惇 |
| 主分類號(hào)： | C23F17/00 | 分類號(hào)： | C23F17/00;C23C30/00;C21D1/26;C21D1/74 |
| 代理公司： | 北京市浩天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 11276 | 代理人： | 劉云貴 |
| 地址： | 100193 北京市海淀*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 釹鐵硼 磁體 擴(kuò)散 工藝 | ||
1.一種提高釹鐵硼磁體矯頑力的處理方法，其包括：
步驟A，將一定粒度的重稀土氧化物粉末和/或重稀土氟化物粉末，溶于在磁體表面附著力強(qiáng)且對(duì)磁體性能無負(fù)影響的無機(jī)溶劑內(nèi)；
步驟B，將磁體置于上述重稀土粉末溶劑內(nèi)浸泡適當(dāng)時(shí)間，磁體取出后立刻用熱風(fēng)使之干燥；
步驟C，表面涂敷了重稀土粉末的磁體在惰性氣中進(jìn)行熱處理；
步驟D，最后進(jìn)行退火處理。
2.如權(quán)利要求1所述的處理方法，其中所述的重稀土氧化物可以為Dy2O3或Tb4O7，或者其混和物。
3.如權(quán)利要求1所述的處理方法，其中所述的重稀土氟化物可以為DyF3或TbF3，或者其混和物。
4.如權(quán)利要求1所述的處理方法，其中所述的重稀土氧化物或重稀土氟化物粉末平均粒度小于5μm。
5.如權(quán)利要求1所述的處理方法，其中所述的重稀土氧化物或重稀土氟化物粉末平均粒度小于0.1μm。
6.如權(quán)利要求1所述的處理方法，其中所述的惰性氣體為氬氣(Ar)。
7.如權(quán)利要求1所述的處理方法，其中所述的無機(jī)溶劑為可溶解稀土氧化物或氟化物的酸溶劑。
8.如權(quán)利要求7所述的處理方法，其中所述的酸溶液為50體積％的硝酸溶劑。
9.如權(quán)利要求7或8所述的處理方法，所述的重稀土粉末在酸溶液濃度為1-60重量％。
10.如權(quán)利要求1所述的處理方法，所述磁體厚度為0.5-20mm。
11.如權(quán)利要求1所述的處理方法，所述磁體厚度為1-5mm。
12.如權(quán)利要求1所述的處理方法，所述的步驟C中處理溫度范圍控制在800-900℃。
13.如權(quán)利要求1所述的處理方法，所述的步驟C中處理時(shí)間在10小時(shí)以內(nèi)。
14.如權(quán)利要求1所述的處理方法，所述的步驟D中退火處理的溫度范圍控制在500-600℃。
15.如權(quán)利要求1所述的處理方法，所述的步驟D中退火處理的時(shí)間在2小時(shí)以內(nèi)。
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