[發明專利]發光元件芯片、曝光裝置和圖像形成設備有效
| 申請號: | 200910129441.0 | 申請日: | 2009-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN101651146A | 公開(公告)日: | 2010-02-17 |
| 發明(設計)人: | 近藤義尚 | 申請(專利權)人: | 富士施樂株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;G03G15/04;G03G15/01;B41J2/47;B41J2/45 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 | 代理人: | 陳 源;張天舒 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 元件 芯片 曝光 裝置 圖像 形成 設備 | ||
1.一種發光元件芯片,包括:
基片;
發光部分,包括多個發光元件,每個發光元件均具有
層疊在基片上的第一導電類型的第一半導體層,
層疊在第一半導體層上的第二導電類型的第二半導體層, 其中第二導電類型是與第一導電類型不同的導電類型,
層疊在第二半導體層上的第一導電類型的第三半導體層, 以及
層疊在第三半導體層上的第二導電類型的第四半導體層;
含有多個設置元件的設置部分,設置元件是對應于多個發光元 件而分別提供的,每個設置元件都在其導通時使得發光元件中相應的 一個準備好發光,并且每個設置元件都具有層疊在基片上的第一半導 體層、層疊在第一半導體層上的第二半導體層、層疊在第二半導體層 上的第三半導體層以及層疊在第三半導體層上的第四半導體層;和
控制器,包括邏輯運算元件,所述邏輯運算元件執行邏輯運算 操作來使發光部分的多個發光元件執行發光操作,邏輯運算元件是通 過將層疊在基片上的第一半導體層,層疊在第一半導體層上的第二半 導體層,層疊在第二半導體層上的第三半導體層和層疊在第三半導體 層上的第四半導體層中某幾個順次的層進行組合形成的,其中
控制器包括NOT電路作為邏輯運算元件,所述NOT電路包括:
輸入電極,信號輸入到該輸入電極;
輸出電極,從該輸出電極輸出邏輯運算結果;
基準電位電極,其被設置為具有基準電位;以及
直流電壓電極,其提供直流電壓以使第一半導體層和第二 半導體層的結正向偏置,
第一半導體層連接至基準電位電極,
第二半導體層連接至直流電壓電極,
第三半導體層連接至輸入電極,并且
第四半導體層連接至輸出電極。
2.根據權利要求1的發光元件芯片,其中
當第一導電類型為p型,空穴為載流子,并且當第二導電類型 為n型,電子為載流子,
控制器包括NOR電路作為邏輯運算元件,所述NOR電路由多 個共用基準電位電極、直流電壓電極和輸出電極的NOT電路構成, 該NOR電路分別通過多個輸入電極接收多個信號。
3.根據權利要求1的發光元件芯片,其中
當第一導電類型為n型,電子為載流子,并且當第二導電類型 為p型時,空穴為載流子,
控制器包括NAND電路作為邏輯運算元件,所述NAND電路由 多個共用基準電位電極、直流電壓電極和輸出電極的NOT電路構成, 該NAND電路分別通過多個輸入電極接收多個信號。
4.根據權利要求1的發光元件芯片,其中
控制器包括晶體管開關作為邏輯運算元件,所述晶體管開關具 有多集電極,并且
多集電極中的至少一個集電極連接至包含在發光部分的發光元 件中的第二半導體層。
5.根據權利要求1的發光元件芯片,其中第一半導體層、第二 半導體層、第三半導體層和第四半導體層由復合半導體構成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





