[發明專利]等離子體處理裝置以及等離子體處理方法

無效

• 申請號: 200910129414.3
• 申請日: 2009-03-18
• 公開（公告）號: CN101587825A
• 公開（公告）日: 2009-11-25
• 發明（設計）人: 石橋清隆
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/31;H05H1/24
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種等離子體處理裝置，其包括：

處理容器，其具有上部開口；

頂板，其配置為密封上述處理容器的上部開口，在該頂板的外周面與上述處理容器的內壁之間具有第1間隙；

蓋構件，其與上述頂板之間具有第2間隙，用于覆蓋上述頂板；

電磁能供給部件，其配置在上述頂板與上述蓋構件之間的第2間隙中，向上述頂板供給電磁能而在上述頂板下方產生等離子體；

氣體分配部件，其向上述處理容器內的上述頂板的下方分配氣體；

氣流生成部件，其包括吸引部件，所述吸引部件使上述第1間隙內以及上述第2間隙內形成為弱負壓并對包括泄露到任一個間隙中的氣體的氣流進行吸引，以在上述第1間隙以及上述第2間隙中的至少任一個間隙中生成流向上述處理容器外的氣流；

氣體除害部件，其用于從流向上述處理容器外的氣流中除去毒性氣體。

2.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，

上述處理容器包括與上述第1間隙相連通的第1排氣口；

上述蓋構件包括與上述第2間隙相連通的第2排氣口；

上述氣流生成部件包括流量調整部件，該流量調整部件將流向上述第1排氣口的氣流與流向上述第2排氣口的氣流調整為相同流量。

3.根據權利要求2所述的等離子體處理裝置，

上述氣體分配部件包括：

多個開口，該多個開口形成在上述頂板內，用于向上述處理容器內分配氣體；

供給槽，其形成在上述頂板內，用于向上述多個開口供給上述氣體。

4.根據權利要求3所述的等離子體處理裝置，

上述頂板包括：

電介質主體，其形成有氣體分配槽和上述多個開口；

電介質蓋構件，其用于覆蓋上述電介質主體。

5.根據權利要求2～4中任一項所述的等離子體處理裝置，

上述第1排氣口形成在上述處理容器的側壁上，與上述第1間隙相連通。

6.根據權利要求2～4中任一項所述的等離子體處理裝置，

上述電磁能供給部件包括平板狀天線，該平板狀天線配置在上述頂板上方，使電磁能透過上述頂板而供給到上述處理容器內，在上述頂板的下方產生等離子體；

上述第2排氣口與在上述平板狀天線和上述頂板之間產生的第2間隙相連通，被上述吸引部件吸引。

7.根據權利要求6所述的等離子體處理裝置，

在上述平板狀天線上形成有多個狹縫；

該等離子體處理裝置包括同軸波導管，該同軸波導管具有內側導體和外側導體，該內側導體與上述平板狀天線相連接，該外側導體形成有與上述第2排氣口相連通的開口。

8.根據權利要求2～4中任一項所述的等離子體處理裝置，

上述電磁能供給部件包括卷繞成螺旋狀的平板狀線圈，該平板狀線圈配置在上述頂板上，利用由高頻信號產生的變動磁場在等離子體內部產生渦流而產生焦耳熱，從而在上述頂板的下方產生高溫的等離子體；

上述第2排氣口與形成在上述頂板和上述蓋構件之間的第2間隙相連通，被上述吸引部件吸引。

9.根據權利要求1～4中任一項所述的等離子體處理裝置，

上述處理容器具有第1吸引口，該第1吸引口通過與在上述電磁能供給部件和上述頂板之間產生的第1間隙相連通來吸引空氣。

10.根據權利要求1～4中任一項所述的等離子體處理裝置，

上述蓋構件具有第2吸引口，該第2吸引口通過與形成在上述頂板與上述蓋構件之間的第2間隙相連通來吸引空氣。

11.一種等離子體處理方法，其中，

該方法利用權利要求1所述的等離子體處理裝置并包括如下工序：

向載置有被處理基板的處理容器內供給電磁能；

向上述處理容器內供給氣體，利用被上述電磁能激發了的上述氣體對上述被處理基板進行處理；

至少在進行上述處理的工序期間，在上述處理容器和上述頂板之間的間隙中產生流向上述處理容器外的氣流；

從流向上述處理容器外的上述氣流中除去毒性氣體。