[發明專利]等離子體處理裝置及其密封結構、密封方法無效
| 申請號: | 200910129409.2 | 申請日: | 2009-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN101556909A | 公開(公告)日: | 2009-10-14 |
| 發明(設計)人: | 石橋清隆;岸田好晴 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/3065;H01L21/31;H01L21/311;C23C16/00;H05H1/24 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 等離子體 處理 裝置 及其 密封 結構 方法 | ||
1.一種等離子體處理裝置的密封結構,其用于密封進行 等離子體處理的等離子體產生室的開口部,其特征在于,
該等離子體處理裝置的密封結構包括:
第1密封構件,其為環狀,與上述等離子體產生室的等離 子體氣體介質接觸;
第2密封構件,其為環狀,不與上述等離子體產生室的等 離子體氣體介質接觸;
間隙,其位于上述第1密封構件與上述第2密封構件之間; 氣體注入口,其用于向上述間隙中注入惰性氣體;
槽,其沿著與上述第1密封構件的長度方向大致正交的方 向形成在與上述第1密封構件相鄰接的面上,用于連通上述等 離子體產生室和上述間隙。
2.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置的密封結構, 其特征在于,
上述間隙被不會發生異常放電的壓力的惰性氣體充滿。
3.根據權利要求1或2所述的等離子體處理裝置的密封結 構,其特征在于,
在上述第1密封構件與上述第2密封構件之間設置朝向上 述間隙開口的、沿著上述第1密封構件或第2密封構件的長度方 向連續的凹部。
4.根據權利要求1或2所述的等離子體處理裝置的密封結 構,其特征在于,
該等離子體處理裝置的密封結構包括:
壓力測量部件,其用于測量上述間隙的壓力;
老化判定部件,其在利用上述壓力測量部件測出的值在規 定范圍之外的情況下,判斷為上述第1密封構件發生了老化。
5.根據權利要求1或2所述的等離子體處理裝置的密封結 構,其特征在于,
該等離子體處理裝置的密封結構包括:
氣體流量測量部件,其用于測量注入到上述間隙中的上述 惰性氣體的量;
老化判定部件,其在利用上述氣體流量測量部件測出的值 在規定范圍之外的情況下,判斷為上述第1密封構件發生了老 化。
6.根據權利要求1或2所述的等離子體處理裝置的密封結 構,其特征在于,
該等離子體處理裝置的密封結構包括:
壓力測量部件,其用于測量上述間隙的壓力;
老化判定部件,其在利用上述壓力測量部件測出的值在規 定范圍之外的情況下,判斷為上述第2密封構件發生了老化。
7.根據權利要求1或2所述的等離子體處理裝置的密封結 構,其特征在于,
該等離子體處理裝置的密封結構包括:
氣體流量測量部件,其用于測量注入到上述間隙中的上述 惰性氣體的量;
老化判定部件,其在利用上述氣體流量測量部件測出的值 在規定范圍之外的情況下,判斷為上述第2密封構件發生了老 化。
8.根據權利要求1或2所述的等離子體處理裝置的密封結 構,其特征在于,
上述惰性氣體含有Ne(氖)、Ar(氬)、Kr(氪)、Xe(氙)及N2(氮) 中任一種氣體或它們任意組合的氣體。
9.根據權利要求1或2所述的等離子體處理裝置的密封結 構,其特征在于,
上述第2密封構件具有導電性。
10.根據權利要求1或2所述的等離子體處理裝置的密封 結構,其特征在于,
上述開口部包括:
閉塞構件,其用于封閉該開口部;
小片構件,其用于在上述閉塞構件與上述等離子體產生室 之間形成微小的間隙。
11.根據權利要求1或2所述的等離子體處理裝置的密封 結構,其特征在于,
上述等離子體產生室包括用于取出放入被處理物的開口部 和用于封閉該開口部的閘閥;
上述第1密封構件以及第2密封構件位于上述開口部的周 緣與上述閘閥的閥體之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





