[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910129124.9
• 申請(qǐng)日: 2009-03-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101552240A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-10-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹祥薰;曹允碩;金明玉;樸相勛;鄭永均
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 海力士半導(dǎo)體有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/8239
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/8239;H01L21/336;H01L27/105;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 劉繼富;顧晉偉

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成多個(gè)柱狀物圖案；

在相鄰的所述柱狀物圖案之間的所述襯底中形成雜質(zhì)區(qū)域；

形成圍繞每一個(gè)所述柱狀物圖案的一部分的柵電極；

在所述襯底上形成第一覆蓋層以覆蓋每一個(gè)所述柱狀物圖案的所述柵電極；

分隔所述雜質(zhì)區(qū)域，并形成覆蓋位于所述相鄰柱狀物圖案的所述柵電極之間的所述第一覆蓋層的分隔層；

將除接觸所述分隔層的部分以外的所述第一覆蓋層移除，以部分地暴露出每一個(gè)所述柱狀物圖案的所述柵電極；

形成覆蓋所述暴露的柵電極的犧牲層；

在所述柱狀物圖案的側(cè)壁上形成第二覆蓋層；

移除所述犧牲層；和

在所述犧牲層已被移除之處形成字線以連接所述相鄰柱狀物圖案的所述柵電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中通過(guò)干蝕刻工藝或干清洗工藝來(lái)移除所述第一覆蓋層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述犧牲層包括含碳薄膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述犧牲層包括由選自由光刻膠、非晶碳、SiOC、SiC及SOC組成的組中的任意一種所形成的薄膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述分隔層的形成包括：

形成將所述雜質(zhì)區(qū)域分為兩個(gè)子區(qū)域的溝槽；和

形成絕緣層以填充所述溝槽并部分地覆蓋所述第一覆蓋層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述第一覆蓋層和所述第二覆蓋層中的每一個(gè)均包括氮化物層或氧化物層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中

通過(guò)沉積導(dǎo)電層并回蝕所述沉積的導(dǎo)電層來(lái)形成所述字線；和

所述第二覆蓋層在所述回蝕期間保護(hù)所述柱狀物圖案的側(cè)壁。

8.一種使用襯底制造半導(dǎo)體器件的方法，所述襯底包括多個(gè)柱狀物圖案、在相鄰的所述柱狀物圖案之間的雜質(zhì)區(qū)域、在每一個(gè)所述柱狀物圖案上的柵電極、形成于所述襯底上以覆蓋每一個(gè)所述柱狀物圖案的所述柵電極的第一覆蓋層以及在所述雜質(zhì)區(qū)域中且覆蓋位于所述相鄰柱狀物圖案的所述柵電極之間的所述第一覆蓋層的分隔層；

所述方法包括：

將除接觸所述分隔層的部分以外的所述第一覆蓋層移除，以部分地暴露出每一個(gè)所述柱狀物圖案的所述柵電極；

形成覆蓋所述暴露的柵電極的犧牲層；

在所述柱狀物圖案的側(cè)壁上形成第二覆蓋層；

移除所述犧牲層；和

在所述犧牲層已被移除之處形成字線以連接所述相鄰柱狀物圖案的所述柵電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中通過(guò)干蝕刻工藝或干清洗工藝來(lái)移除所述第一覆蓋層。

10.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中所述犧牲層包括含碳薄膜。

11.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中所述犧牲層包括由選自由光刻膠、非晶碳、SiOC、SiC和SOC組成的組中的任意一種所形成的薄膜。

12.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中所述第一覆蓋層和所述第二覆蓋層中的每一個(gè)均包括氮化物層或氧化物層。

13.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中所述第一覆蓋層和所述第二覆蓋層中的每一個(gè)均包括氮化硅(Si₃N₄)、氧化硅(SiO₂)、等離子體增強(qiáng)原硅酸四乙酯(PETEOS)、磷硅酸鹽玻璃(PSG)、未摻雜的硅酸鹽玻璃(USG)及高密度等離子體(HDP)氧化物中的至少一種。

14.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中

通過(guò)沉積導(dǎo)電層并回蝕所述沉積的導(dǎo)電層來(lái)形成所述字線；和

所述第二覆蓋層在所述回蝕期間保護(hù)所述柱狀物圖案的側(cè)壁。

15.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中以所述次序來(lái)實(shí)施所述方法的所述步驟。