[發(fā)明專利]陣列式發(fā)光元件及其顯示裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910128984.0 | 申請日: | 2009-03-20 |
| 公開(公告)號: | CN101839401A | 公開(公告)日: | 2010-09-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 徐舒婷;陳彥文;陳威佑;李宗憲 | 申請(專利權(quán))人: | 晶元光電股份有限公司 |
| 主分類號: | F21S2/00 | 分類號: | F21S2/00;F21V9/10;F21V23/00;G02F1/133;G02F1/13357;G09G3/36;F21Y101/02 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 屈玉華 |
| 地址: | 中國*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 發(fā)光 元件 及其 顯示裝置 | ||
1.一種發(fā)光元件,包含:
基板;
半導(dǎo)體發(fā)光陣列形成于該基板上,發(fā)出具有第一光譜的第一光線,其中該發(fā)光陣列包含第一發(fā)光單元及第二發(fā)光單元;
第一波長轉(zhuǎn)換材質(zhì)形成于該第一發(fā)光單元上,并藉由該第一光線激發(fā)出具有第二光譜的第二光線;
第二波長轉(zhuǎn)換材質(zhì)形成于該第二發(fā)光單元上,并藉由該第一光線激發(fā)出具有相異于第二光譜的第三光譜的第三光線;以及
電路層以連接形式使該第一發(fā)光單元及該第二發(fā)光單元電性連接,并使該第一發(fā)光單元及該第二發(fā)光單元于電源驅(qū)動時,依預(yù)定時脈交互點亮。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件其面積小于5mm2。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件,其中該第一光譜包含410~430nm或440~480nm的波長范圍。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件,其中該連接形式包含反向并聯(lián)。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件,其中該電源為交流式電源。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件,其中該發(fā)光陣列還包含第三發(fā)光單元及第三波長轉(zhuǎn)換材質(zhì)形成于該第三發(fā)光單元上,并藉由該第一光線激發(fā)出具有相異于第二光譜及第三光譜的第四光譜的第四光線。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光元件,其中該第二光譜、該第三光譜、及該第四光譜包含波長范圍選自于440~480nm、500~560nm、570~595nm、及600~650nm所組成的群組。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件,其中該連接形式使得該第二發(fā)光單元及該第三發(fā)光單元為串聯(lián)連接,以及使得該第一發(fā)光單元及該第二發(fā)光單元為反向并聯(lián)。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件,其中該基板為單晶結(jié)構(gòu),該半導(dǎo)體發(fā)光陣列為氮化物外延結(jié)構(gòu)外延成長于該基板上。
10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件,還包含非單晶相接合層介于該基板及該半導(dǎo)體發(fā)光陣列之間。
11.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件,其中該第一波長轉(zhuǎn)換材質(zhì)及該第二波長轉(zhuǎn)換材質(zhì)以層狀結(jié)構(gòu)對應(yīng)形成于該第一發(fā)光單元及該第二發(fā)光單元上,并以溝渠電性隔開。
12.一顯示裝置,具有多個像素,該顯示裝置包含:
背光模塊,包含權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件;
液晶模塊,包含多個液晶區(qū)塊分別對應(yīng)于該顯示裝置的該多個像素;
彩色濾光模塊,包含多個濾光區(qū)塊分別對應(yīng)于該顯示裝置的該多個像素;以及
控制模塊,包含控制電路用以控制該背光模塊及該液晶模塊。
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