[發明專利]薄膜晶體管及其制造方法、顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 200910128713.5
• 申請日: 2009-03-10
• 公開（公告）號: CN101533781A
• 公開（公告）日: 2009-09-16
• 發明（設計）人: 宮入秀和;溝口隆文
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/027;H01L21/84;G02F1/1362
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 柯廣華;王丹昕

1.一種薄膜晶體管的制造方法，包括如下步驟：

形成遮光膜和該遮光膜上的第一抗蝕劑掩模；

通過蝕刻所述遮光膜的一部分形成具有圖案的遮光層；

在所述遮光層上形成基底膜；

在所述基底膜上依次形成第一導電膜、第一絕緣膜、半導體膜、 雜質半導體膜、以及第二導電膜；

在所述第二導電膜上形成第二抗蝕劑掩模；

通過使用所述第二抗蝕劑掩模，對所述第二導電膜、所述雜質半 導體膜、所述半導體膜、以及所述第一絕緣膜進行第一蝕刻，至少使所 述第一導電膜露出；

進行第二蝕刻，其中所述第一導電膜的一部分被側面蝕刻以形成 柵電極層；

在所述第二導電膜上形成第三抗蝕劑掩模；以及

通過使用所述第三抗蝕劑掩模，對所述第二導電膜、所述雜質半 導體膜、以及所述半導體膜的一部分進行第三蝕刻形成源電極及漏電極 層、源區域及漏區域層、以及半導體層，

其中所述第一抗蝕劑掩模和所述第二抗蝕劑掩模使用同一個光掩 模形成。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，

其中通過所述第一蝕刻形成元件區域，

并且通過所述第二蝕刻，在離所述元件區域側面有相等的距離的 內側形成所述柵電極層的側面。

3.一種薄膜晶體管的制造方法，包括如下步驟：

形成遮光膜和該遮光膜上的第一抗蝕劑掩模；

通過蝕刻所述遮光膜的一部分形成具有圖案的遮光層；

在所述遮光層上形成基底膜；

在所述基底膜上依次形成第一導電膜、第一絕緣膜、半導體膜、 雜質半導體膜、以及第二導電膜；

在所述第二導電膜上形成第二抗蝕劑掩模；

通過使用所述第二抗蝕劑掩模，對所述第二導電膜、所述雜質半 導體膜、所述半導體膜、以及所述第一絕緣膜進行第一蝕刻，至少使所 述第一導電膜露出；

在所述第二導電膜上形成第三抗蝕劑掩模；

進行第二蝕刻，其中所述第一導電膜的一部分被側面蝕刻以形成 柵電極層；以及

通過使用所述第三抗蝕劑掩模，對所述第二導電膜、所述雜質半 導體膜、以及所述半導體膜的一部分進行第三蝕刻形成源電極及漏電極 層、源區域及漏區域層、以及半導體層，

其中所述第一抗蝕劑掩模和所述第二抗蝕劑掩模使用同一個光掩 模形成。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管的制造方法，其中將所述第 二抗蝕劑掩模的面積形成為小于所述第一抗蝕劑掩模的面積。

5.根據權利要求4所述的薄膜晶體管的制造方法，其中通過氧等離 子體進行灰化而形成所述第二抗蝕劑掩模。

6.一種薄膜晶體管的制造方法，包括如下步驟：

形成遮光膜和該遮光膜上的第一抗蝕劑掩模；

通過蝕刻所述遮光膜的一部分形成具有圖案的遮光層；

在所述遮光層上形成基底膜；

在所述基底膜上依次形成第一導電膜、第一絕緣膜、半導體膜、 雜質半導體膜、以及第二導電膜；

在所述第二導電膜上形成具有凹部的第二抗蝕劑掩模；

通過使用所述第二抗蝕劑掩模，對所述第二導電膜、所述雜質半 導體膜、所述半導體膜、所述第一絕緣膜進行第一蝕刻，至少使所述第 一導電膜露出；

進行第二蝕刻，其中所述第一導電膜的一部分被側面蝕刻以形成 柵電極層；

通過使所述第二抗蝕劑掩模縮小，以使重疊于所述第二抗蝕劑掩 模的凹部的所述第二導電膜露出并形成第三抗蝕劑掩模；以及

通過使用所述第三抗蝕劑掩模，對所述第二導電膜、所述雜質半 導體膜、以及所述半導體膜的一部分進行第三蝕刻形成源電極及漏電極 層、源區域及漏區域層、以及半導體層，

其中所述第一抗蝕劑掩模和所述第二抗蝕劑掩模使用同一個光掩 模形成。

7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管的制造方法，其中所述第二 抗蝕劑掩模使用多級灰度掩模形成。