[發明專利]薄膜晶體管的制造方法及顯示裝置的制造方法

有效

• 申請號: 200910128712.0
• 申請日: 2009-03-11
• 公開（公告）號: CN101533780A
• 公開（公告）日: 2009-09-16
• 發明（設計）人: 宮入秀和;溝口隆文
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/027;H01L21/28;H01L21/84;G02F1/1362
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 柯廣華;王丹昕

1.一種薄膜晶體管的制造方法，包括如下步驟：

在襯底上形成第一導電膜；

在所述第一導電膜上形成絕緣膜；

在所述絕緣膜上形成半導體膜；

在所述半導體膜上形成雜質半導體膜；

在所述雜質半導體膜上形成第二導電膜；

在所述第二導電膜上形成包括凹部的第一抗蝕劑掩模，該第一抗蝕劑掩模還包括至少一 個開口部；

通過使用所述第一抗蝕劑掩模對所述絕緣膜、所述半導體膜、所述雜質半導體膜及所述 第二導電膜進行第一蝕刻，至少使所述第一導電膜的表面露出；

通過進行所述第一導電膜的一部分受到側面蝕刻的第二蝕刻，形成柵電極層；

在形成所述柵電極層之后，通過縮小所述第一抗蝕劑掩模來使與所述第一抗蝕劑掩模的 所述凹部重疊的所述第二導電膜的一部分露出，形成第二抗蝕劑掩模；以及

通過使用所述第二抗蝕劑掩模對所述第二導電膜、所述雜質半導體膜及所述半導體膜的 一部分進行第三蝕刻，形成源電極及漏電極層、源區及漏區和半導體層。

2.一種薄膜晶體管的制造方法，包括如下步驟：

在襯底上形成第一導電膜；

在所述第一導電膜上形成絕緣膜；

在所述絕緣膜上形成半導體膜；

在所述半導體膜上形成雜質半導體膜；

在所述雜質半導體膜上形成第二導電膜；

在所述第二導電膜上形成包括凹部的第一抗蝕劑掩模，該第一抗蝕劑掩模還包括至少一 個開口部；

通過使用所述第一抗蝕劑掩模對所述絕緣膜、所述半導體膜、所述雜質半導體膜及所述 第二導電膜進行第一蝕刻，至少使所述第一導電膜的表面露出；

通過縮小所述第一抗蝕劑掩模來使與所述第一抗蝕劑掩模的凹部重疊的所述第二導電 膜的一部分露出，形成第二抗蝕劑掩模；

在形成所述第二抗蝕劑掩模之后，通過進行所述第一導電膜的一部分受到側面蝕刻的第 二蝕刻，形成柵電極層；以及

通過使用所述第二抗蝕劑掩模對所述第二導電膜、所述雜質半導體膜及所述半導體膜的 一部分進行第三蝕刻，形成源電極及漏電極層、源區及漏區和半導體層。

3.一種薄膜晶體管的制造方法，包括如下步驟：

在襯底上形成第一導電膜；

在所述第一導電膜上形成絕緣膜；

在所述絕緣膜上形成半導體膜；

在所述半導體膜上形成雜質半導體膜；

在所述雜質半導體膜上形成第二導電膜；

形成第一抗蝕劑掩模，該第一抗蝕劑掩模包括所述第二導電膜上的凹部，并還包括至少 一個開口部；

使用所述第一抗蝕劑掩模對所述第一導電膜、所述絕緣膜、所述半導體膜、所述雜質半 導體膜及所述第二導電膜進行第一蝕刻；

通過進行所述第一導電膜的一部分受到側面蝕刻的第二蝕刻，形成柵電極層；

在形成所述柵電極層之后，通過縮小所述第一抗蝕劑掩模來使與所述第一抗蝕劑掩模的 凹部重疊的所述第二導電膜的一部分露出，形成第二抗蝕劑掩模；以及

通過使用所述第二抗蝕劑掩模對所述第二導電膜、所述雜質半導體膜及所述半導體膜的 一部分進行第三蝕刻，形成源電極及漏電極層、源區及漏區和半導體層。