[發明專利]新型氨基-烷氧基錫絡合物及其制備方法有效
| 申請號： | 200910128543.0 | 申請日： | 2009-03-18 |
| 公開（公告）號： | CN101538277A | 公開（公告）日： | 2009-09-23 |
| 發明（設計）人： | 金唱均;鄭澤模;李永國;安基碩;李善淑;柳炳煥;張世珍 | 申請（專利權）人： | 韓國化學研究院 |
| 主分類號： | C07F7/22 | 分類號： | C07F7/22;C01G19/02;C23C16/18 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 | 代理人： | 丁香蘭;龐東成 |
| 地址： | 韓國大*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 新型 氨基 烷氧基錫 絡合物 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及新型的氨基-烷氧基錫絡合物，更準確地說本發明涉及可 用作用于錫和氧化錫薄膜以及用于制造納米尺寸的錫和氧化錫顆粒的前 體的氨基烷氧基錫絡合物及其制備方法。
背景技術
氧化錫于1976年被首次報道并作為具有可見光透過性、紅外線反射 性和低電阻的透明導電氧化物而為人所知。由于具有這些特征，氧化錫 已經廣泛用于氣體傳感器、太陽能電池電極和低電阻玻璃涂料等。許多 研究小組正在研究單體形式的、并具有2配位或4配位結構的錫的烷氧 基化物、酰胺和硫族化合物。為制造錫、氧化錫和含有錫的材料，已經 使用了諸如SnCl4、Sn(CH3)4、(CH3)2SnCl2、Sn(C4H9)2(CHCOO)2、Sn(OAc)2、 Sn(acac)2(acac＝乙酰丙酮根)和Sn(XR)2(X＝O、S、N，R＝甲基、乙基、 異丙基、叔丁基)等前體。所有的合成化合物均通過使用具有巨大位阻的 配體或者通過電子供體底物而得到穩定。最普通的錫化合物在真空室中 通過MOCVD(金屬有機化學氣相沉積)法經由80℃～450℃的不穩定氣相 反應發生熱分解。該方法是基于對于作為氣相的底物具有反應性的那些 化合物在氣相中的分解的方法。但是，該方法受到限制。用于形成薄膜 的分解過慢，但如果分解速率加快，薄膜的品質降低。薄膜可以通過PCVD (等離子體誘導的化學氣相沉積)和濺射制造，但是這些方法存在結構 問題和光電子的品質問題(T.W.F.Russel，B.N.Baron?and?R.E. Rocheleau，J.Vac.Sci.Technol.B2(4)，1984，840；Sanjay?Mathur，Hao?Shen， Vladimir?Sivakov，and?Ulf?Werner，Chem.Mater.2004，16，2449；Henry Gerung，Scott?D.Bunge，Timothy?J.Boyle，C.Jeffrey?Brinkerab?and?Sang?M. Han，Chem.Commun.，2005，1914；Seigi?Suh?and?David?M.Hoffman，Inorg. Chem.1996，35，6164；A.Watanabe，M.Unno，F.Hojo，T.Miwa，J.Mater. Sci.Lett.，2001，20，491；S.Veprek，J.Prokop，F.Glatz，and?R.Merica，F.R. Klingan?and?W.A.Herrmann，Chem.Mater.1996，8，825)。
發明內容
技術問題
本發明人通過引入新型配體以使二烷基氨基與錫配位而開發了一種 新型錫前體，該前體可用于在較低溫度下制備錫和氧化錫以及含有錫的 物質，并且具有改善的熱穩定性和揮發性而不會受到碳或鹵素的污染。
本發明的一個目的是提供一種新型的錫化合物前體及其制備方法， 該前體具有改善的熱穩定性和揮發性，從而生成高品質錫和氧化錫、納 米顆粒以及含有錫的物質。
技術方案
為實現上述目的，本發明提供由式1表示的氨基-烷氧基錫絡合物。
[式1]
Sn[O-A-NR1R2]2
式1中，A是未取代或取代有鹵素的直鏈或支鏈的(C2-C10)亞烷基； R1和R2獨立地是未取代或取代有鹵素的直鏈或支鏈的(C1-C7)烷基。
本發明還提供使用所述氨基-烷氧基錫絡合物作為前體制備錫化合 物的方法。
下面詳細描述本發明。
式1的錫絡合物包括由式2表示的氨基烷氧基錫化合物 (A＝-CR3R4(CH2)m)。
[式2]
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