[發(fā)明專利]EL顯示裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910128517.8
• 申請日: 2009-03-05
• 公開（公告）號: CN101527284A
• 公開（公告）日: 2009-09-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宮入秀和;小森茂樹;伊佐敏行;梅崎敦司
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L27/15;H01L29/786;H01L21/027;G02F1/1362
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 柯廣華;王丹昕

1.一種EL顯示裝置的制造方法，包括如下步驟：

形成薄膜晶體管，其包括如下步驟：

在絕緣表面上按順序?qū)盈B第一導(dǎo)電膜、第一絕緣膜、半導(dǎo)體 膜、雜質(zhì)半導(dǎo)體膜及第二導(dǎo)電膜；

在所述第二導(dǎo)電膜上形成第一抗蝕劑掩模；

通過使用所述第一抗蝕劑掩模對所述第一絕緣膜、所述半導(dǎo) 體膜、所述雜質(zhì)半導(dǎo)體膜及所述第二導(dǎo)電膜進(jìn)行第一蝕刻，至少使所 述第一導(dǎo)電膜的表面露出；

在第一蝕刻之后，對所述第一導(dǎo)電膜的一部分進(jìn)行第二蝕刻 來形成柵電極層，以使所述柵電極層的寬度比所述第一絕緣膜的寬度 窄；

通過縮小所述第一抗蝕劑掩模來形成第二抗蝕劑掩模；以及

在第二蝕刻之后，通過使用所述第二抗蝕劑掩模對所述第二 導(dǎo)電膜、所述雜質(zhì)半導(dǎo)體膜及所述半導(dǎo)體膜的一部分進(jìn)行第三蝕刻， 形成源電極及漏電極層、源區(qū)及漏區(qū)層和半導(dǎo)體層，

去除所述第二抗蝕劑掩模；

形成第二絕緣膜來覆蓋所述薄膜晶體管；

在所述第二絕緣膜中形成開口來使所述源電極及漏電極層的一 部分露出；

在所述開口及所述第二絕緣膜上選擇性地形成第一像素電極；

在所述第一像素電極上形成EL層；以及

在所述EL層上形成第二像素電極，

其中，通過所述第二蝕刻以與所述柵電極層相鄰的方式在所述第 二絕緣膜和所述絕緣表面之間形成空洞。

2.一種EL顯示裝置的制造方法，包括如下步驟：

形成薄膜晶體管，其包括如下步驟：

在絕緣表面上按順序?qū)盈B第一導(dǎo)電膜、第一絕緣膜、半導(dǎo)體 膜、雜質(zhì)半導(dǎo)體膜及第二導(dǎo)電膜；

在所述第二導(dǎo)電膜上形成具有凹部的第一抗蝕劑掩模；

通過使用所述第一抗蝕劑掩模對所述第一絕緣膜、所述半導(dǎo) 體膜、所述雜質(zhì)半導(dǎo)體膜及所述第二導(dǎo)電膜進(jìn)行第一蝕刻，至少使所 述第一導(dǎo)電膜的表面露出；

在第一蝕刻之后，對所述第一導(dǎo)電膜的一部分進(jìn)行第二蝕刻 來形成柵電極層，以使所述柵電極層的寬度比所述第一絕緣膜的寬度 窄；

通過縮小所述第一抗蝕劑掩模來形成第二抗蝕劑掩模，使與 所述第一抗蝕劑掩模的凹部重疊的所述第二導(dǎo)電膜露出；以及

在第二蝕刻之后，通過使用所述第二抗蝕劑掩模對所述第二 導(dǎo)電膜、所述雜質(zhì)半導(dǎo)體膜及所述半導(dǎo)體膜的一部分進(jìn)行第三蝕刻， 形成源電極及漏電極層、源區(qū)及漏區(qū)層和半導(dǎo)體層，

去除所述第二抗蝕劑掩模；

形成第二絕緣膜來覆蓋所述薄膜晶體管；

在所述第二絕緣膜中形成開口來使所述源電極及漏電極層的一 部分露出；

在所述開口及所述第二絕緣膜上選擇性地形成第一像素電極；

在所述第一像素電極上形成EL層；以及

在所述EL層上形成第二像素電極，

其中，通過所述第二蝕刻以與所述柵電極層相鄰的方式在所述第 二絕緣膜和所述絕緣表面之間形成空洞。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的EL顯示裝置的制造方法，其中使 用多級灰度掩模形成所述第一抗蝕劑掩模。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的EL顯示裝置的制造方法，其中所 述第一蝕刻是干蝕刻，并且所述第二蝕刻是濕蝕刻。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的EL顯示裝置的制造方法，其中層 疊利用CVD法或?yàn)R射法形成的絕緣膜和利用旋涂法形成的絕緣膜來 形成所述第二絕緣膜。