[發(fā)明專利]拋光墊修整器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910128266.3 | 申請日: | 2009-03-24 |
| 公開(公告)號: | CN101844330A | 公開(公告)日: | 2010-09-29 |
| 發(fā)明(設計)人: | 宋健民;陳盈同 | 申請(專利權)人: | 宋健民 |
| 主分類號: | B24B53/12 | 分類號: | B24B53/12;B24B29/00;B24B37/04;H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 湯保平 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 拋光 修整 | ||
技術領域
本發(fā)明是有關一種用于修整或者調節(jié)一化學機械拋光(CMP)墊的器具,尤其是有關具有復合式超硬材料的修整器。
背景技術
化學機械拋光(Chemical?Mechanical?Polishing,CMP)是制作晶片時的精密拋光工藝,用以拋光陶瓷晶片、硅晶片、玻璃晶片、石英晶片及金屬晶片等各種晶片。拋光過程通常必須使該晶片緊靠一個不斷旋轉的拋光墊,并使用一種化學研磨液。該拋光墊可由聚亞安酯的耐用有機物質所制造的;該化學研磨液包含超細磨粒、化學氧化劑和液體介質組成的混合液。該研磨液不斷地被添加至該旋轉的拋光墊,借助磨粒的機械磨削及化學氧化劑的腐蝕作用來完成對該晶片表面的拋光,使晶片表面全面平坦化,以便設計的精微電路圖案經由曝光及顯影工藝能完整的布于該晶片上。對于達到拋光品質,重要的是在整個拋光墊上所述磨粒的分布情況。
該拋光墊由其研磨端的多個纖維或者小孔隙抓持所述磨粒。該拋光墊必須提供足夠大的摩擦力,以防止所述磨粒因該拋光墊的回轉運動所施加的離心力而被甩離該拋光墊。因此,使該拋光墊的研磨端必須盡可能保持柔軟、盡可能使所述纖維保持直立、及確保有足夠可用于抓持新添加的磨粒的小孔隙是重要的。
然而,該拋光墊表面在研磨過程中會產生一個問題,該問題是來自該拋光墊、該研磨液及該晶片的拋光碎屑堆積。此堆積會導致該拋光墊頂部“釉化”或硬化、使所述纖維纏結,而使得該拋光墊表面不易抓持研磨液的磨粒。這些影響顯著降低了該拋光墊的全面拋旋光性能,而使得該晶片的拋光表面的整體粗糙度降低且極為不均。利用一修整器對該拋光墊表面進行“精梳”與“裁剪”,使其得以恢復。此過程被稱為“修整”(Dressing)或者“調整”(Conditioning)該拋光墊。
有各種用于修整或者調節(jié)一化學機械拋光(CMP)墊的修整器的專利技術,例如中國臺灣專利I300024揭示的具塑料基座的陶瓷研磨墊修整器及其制造方法;中國臺灣專利I290337揭示的修整晶片研磨墊的修整器及其制造方法;中國臺灣專利I264345揭示的化學機械研磨修整器;中國臺灣公開專利200837823揭示的化學機械拋光墊調整器及其相關方法,及下述多個專利技術。
中國臺灣公告專利411302揭示的一種平坦基板拋光,與化學-機械-平面化儀器用的拋光盤調整頭,能加倍用于半導體晶片工藝中平面化和/或拋光氧化物和金屬外層的拋光盤可用壽命,并于拋光盤的壽命期間提供更多的均勻拋光。拋光盤調整頭包括適合的基板、平均分布于基板表面上的鉆石砂礫、以及以化學氣相沉積(Chemical?Vapor?Deposition,CVD)長在鉆石砂礫和基板上的CVD鉆石,如此鉆石砂礫變成包裝于CVD鉆石中,并粘結于基板的表面。其中,化學氣相沉積是指以真空沉積過程所沉積的材料,包括從反應性氣態(tài)前驅材料做活化沉積,以及從氣態(tài)前驅材料做電漿、微波、DC或RF電漿電弧噴射沉積。
美國專利US6,818,029揭示的一種用于拋光墊的修整器及其制法(Conditioner?for?polishing?pad?and?method?for?manufacturing?the?same),該修整器包括一基材,該基材的至少一邊具有多個等高幾何紋路的突出物;及一切割部,該切割部具有同一厚度的鉆石層,該鉆石層實質上形成于該基材具有突出物一邊的全部表面;幾何紋路的突出物具有一平坦的上表面,或該上表面可包括多條由小凹溝形成的小幾何紋路突出物。
中國臺灣公開專利200821093揭示的鉆石修整器,具有:圓板狀的修整器基板;和被設置于該修整器基板上,且由環(huán)狀凹溝隔開的同心帶狀的多個鉆石砥粒粘接部。該鉆石砥粒粘接部的表面,經由粘接層粘接有鉆石砥粒。在各鉆石砥粒粘接部上,各自粘接有不同種類的鉆石砥粒。
中國臺灣公開專利200400866揭示的復合式修整片,包含:一基底,其用于支撐修整材料;該基底具有一研磨區(qū)段,用于切割該拋光墊的拋光表面;及一聚合體區(qū)段,用于處理該拋光墊的拋光表面,該聚合體區(qū)段在第一位置中操作,且僅以該聚合體區(qū)段與該拋光墊的拋光表面接觸,并且在第二位置中操作,且僅以該研磨區(qū)段與該拋光墊的拋光表面接觸。
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