[發明專利]基板翻轉平臺與翻轉基板的方法有效
| 申請號: | 200910128038.6 | 申請日: | 2009-03-19 |
| 公開(公告)號: | CN101510523A | 公開(公告)日: | 2009-08-19 |
| 發明(設計)人: | 彭振財;翁嘉信 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 | 代理人: | 任默聞 |
| 地址: | 臺灣省*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 翻轉 平臺 方法 | ||
1.一種基板翻轉平臺,其特征在于,所述基板翻轉平臺用以吸附一基板并翻轉所述基板,所述基板翻轉平臺包括:
一固定架;
一翻轉架,樞接于所述固定架上,所述翻轉架內部為中空,所述翻轉架具有適于吸附所述基板的一吸附面,且所述吸附面設有多個第一引線孔與多個第二引線孔;
一氣流導引裝置,包括:
一第一管線單元,一端伸入所述翻轉架內部并延伸至所述這些第一引線孔;以及
一第二管線單元,一端伸入所述翻轉架內部并延伸至所述這些第二引線孔,且所述第一管線單元與所述第二管線單元彼此獨立、互不相通。
2.如權利要求1所述的基板翻轉平臺,其特征在于,所述翻轉架另包含多個第一支撐管、多個第二支撐管與用以吸附所述基板的多個吸附墊,每一吸附墊具有一第三引線孔,所述這些第一支撐管的一端分別連接于所述這些第一引線孔,所述這些第二支撐管的一端分別連接于所述這些第二引線孔,所述這些吸附墊分別套設于所述這些第一支撐管與所述這些第二支撐管的另一端,且所述這些第三引線孔通過所述這些第一支撐管與所述這些第二支撐管而分別與對應的所述這些第一引線孔與所述這些第二引線孔相通。
3.如權利要求2所述的基板翻轉平臺,其特征在于,所述翻轉架包括:
一封閉框,其內部為中空;以及
多個中空柱,其內部為中空,且所述這些中空柱連接于所述封閉框,每一中空柱的內部空間皆與所述封閉框的內部空間相通,且所述吸附面是由所述這些中空柱的面向同一側的表面所構成。
4.如權利要求3所述的基板翻轉平臺,其特征在于,每一中空柱設有部分所述這些第一引線孔與部分所述這些第二引線孔。
5.如權利要求4所述的基板翻轉平臺,其特征在于,每一中空柱的所述這些第一引線孔與所述這些第二引線孔是沿所述中空柱的延伸方向排列,且所述這些第一引線孔與所述這些第二引線孔是交替設置。
6.如權利要求4所述的基板翻轉平臺,其特征在于,所述第一管線單元包括:
一第一管線,其一端伸入所述封閉框內;
多根第二管線,所述這些第二管線的一端連接所述第一管線,所述這些第二管線的另一端分別伸入所述這些中空柱內,并沿所述這些中空柱的延伸方向延伸;以及
多根第三管線,位于所述這些第一支撐管內,且每一第三管線的一端連接對應的所述第二管線,所述這些第三管線經由所述這些第一引線孔,沿所述這些第一支撐管的延伸方向延伸;
所述第二管線單元包括:
一第四管線,其一端伸入所述封閉框內;
多根第五管線,所述這些第五管線的一端連接所述第四管線,所述這些第五管線的另一端分別伸入所述這些中空柱內,并沿所述這些中空柱的延伸方向延伸;以及
多根第六管線,位于所述這些第二支撐管內,且每一第六管線的一端連接對應的所述第五管線,所述這些第六管線經由所述這些第二引線孔,沿所述這些第二支撐管的延伸方向延伸。
7.如權利要求3所述的基板翻轉平臺,其特征在于,所述封閉框具有一轉軸,所述轉軸包括相對的二樞接部,位于所述封閉框的相對兩側邊,且樞接于所述固定架上。
8.如權利要求7所述的基板翻轉平臺,其特征在于,所述這些樞接部內部為中空,而所述第一管線單元與所述第二管線單元是經由所述這些樞接部至少其中之一的內部伸入所述翻轉架內部。
9.如權利要求1所述的基板翻轉平臺,其特征在于,所述這些第一引線孔與所述這些第二引線孔是排列成一陣列。
10.如權利要求9所述的基板翻轉平臺,其特征在于,在所述陣列的每一行中,所述這些第一引線孔與所述這些第二引線孔是交替設置。
11.如權利要求10所述的基板翻轉平臺,其特征在于,在所述陣列的每一列中,所述這些第一引線孔與所述這些第二引線孔是交替設置。
12.如權利要求10所述的基板翻轉平臺,其特征在于,所述這些第一引線孔排列成多列,所述這些第二引線孔排列成多列,且所述這些第一引線孔排列而成的所述這些列與所述這些第二引線孔排成的所述這些列是交替設置。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





