[發明專利]瞬變電壓抑制器和方法

有效

• 申請號: 200910127905.4
• 申請日: 2009-03-25
• 公開（公告）號: CN101552465A
• 公開（公告）日: 2009-10-07
• 發明（設計）人: E·索斯多-弗羅斯;劉明焦;F·Y·羅伯;A·薩利赫
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04;H01L21/822
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 屠長存

1.一種用于制造瞬變電壓抑制器的方法，包括：

提供具有第一主表面和與所述第一主表面相對的第二主表面的 半導體基底；

由所述半導體基底形成有源區，所述有源區具有從所述第一主表 面延伸的齊納區和遠離所述齊納區從所述第二主表面延伸的部分；

在所述齊納區中形成第一柵極區并在所述有源區遠離所述齊納 區的從所述第二主表面延伸的部分中形成第二柵極區；以及

將所述第一柵極區的摻雜物濃度調節成不同于所述第二柵極區 的摻雜物濃度。

2.一種用于制造瞬變電壓抑制器的方法，包括：

提供具有第一主表面和與所述第一主表面相對的第二主表面的 半導體基底；

在所述半導體基底中形成第一柵極區，所述第一柵極區從所述第 一主表面延伸到所述半導體基底中并具有第一部分、第二部分和第三 部分，其中所述第一部分縱向地與所述第二部分相鄰，而所述第三部 分橫向地與所述第一部分和第二部分相鄰；

在所述半導體基底中形成第二柵極區，所述第二柵極區從所述第 二主表面延伸到所述半導體基底中并具有第一部分、第二部分和第三 部分，其中所述第二柵極區的第一部分縱向地與所述第二柵極區的所 述第二部分相鄰，而所述第二柵極區的所述第三部分橫向地與所述第 二柵極區的所述第一部分和第二部分相鄰；

在所述第一柵極區的所述第一部分中形成第一陰極區；

在所述第二柵極區的所述第一部分中形成第二陰極區；

在所述半導體基底中形成第一陽極區，所述第一陽極區從所述第 二主表面延伸到所述半導體基底中；

在所述半導體基底中形成第二陽極區，所述第二陽極區從所述第 二主表面延伸到所述半導體基底中；

在所述半導體基底中形成第一摻雜區，所述第一摻雜區縱向地與 所述第一柵極區的所述第二部分相鄰；

在所述半導體基底中形成第二摻雜區，所述第二摻雜區縱向地與 所述第二柵極區的所述第二部分相鄰；

調節所述第一柵極區的所述第二部分的摻雜物濃度；以及

調節所述第二柵極區的所述第二部分的摻雜物濃度。

3.如權利要求2所述的方法，其中：

提供半導體基底的步驟包括提供屬于第一傳導性類型的所述半 導體基底；

形成屬于第二傳導性類型的所述第一陽極區；以及

形成屬于第一傳導性類型的所述第一陰極區和所述第一摻雜區， 且其中調節所述第一柵極區的所述第二部分的摻雜物濃度的步驟包括 增加所述第一柵極區的所述第二部分的所述摻雜物濃度。

4.如權利要求2所述的方法，其中：

提供半導體基底的步驟包括提供屬于第一傳導性類型的所述半 導體基底；

形成屬于第二傳導性類型的所述第一陽極區；以及

形成屬于所述第一傳導性類型的所述第一陰極區和所述第一摻 雜區，且其中調節所述第一柵極區的所述第二部分的摻雜物濃度的步 驟包括形成具有比所述第一柵極區的所述第三部分低的摻雜物濃度的 所述第一柵極區的所述第二部分。

5.一種用于制造瞬變電壓抑制器的方法，包括：

提供第一傳導性類型的半導體基底，所述半導體基底具有第一主 表面和與所述第一主表面相對的第二主表面；

在所述半導體基底中形成第二傳導性類型的第一柵極區，所述第 一柵極區從所述第一主表面延伸到所述半導體基底中；

在所述半導體基底中形成第二傳導性類型的第二柵極區，所述第 二柵極區從所述第二主表面延伸到所述半導體基底中；

在所述第一柵極區的第一部分中形成所述第一傳導性類型的第 一陰極區；

在所述半導體基底的相鄰于所述第一柵極區的部分中形成所述 第一傳導性類型的第一齊納區；以及

由所述第一柵極區的第二部分形成所述第二傳導性類型的第一 增益補償區，所述第一柵極區的所述第二部分在所述第一柵極區的所 述第一部分和所述第一齊納區之間。