[發明專利]電阻式存儲器器件和形成電阻式存儲器器件的方法

無效

• 申請號: 200910127435.1
• 申請日: 2009-03-11
• 公開（公告）號: CN101533892A
• 公開（公告）日: 2009-09-16
• 發明（設計）人: 柳庚昶;鄭弘植;鄭基泰;金亨俊;林東源
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;G11C11/56
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 陸錦華;穆德駿

1.一種電阻式存儲器器件，包括：

襯底上的電阻式存儲器元件；

覆蓋所述電阻式存儲器元件的側表面的第一絕緣層；

所述電阻式存儲器元件上的導線；以及

覆蓋所述導線的側表面的第二絕緣層，

其中，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層在從下述組中選擇出的至少一個方面有所不同，所述組包括：硬度、應力、介電常數、導熱率和孔隙度。

2.如權利要求1所述的電阻式存儲器器件，其中所述第一絕緣層比所述第二絕緣層具有更高的硬度。

3.如權利要求2所述的電阻式存儲器器件，其中所述第一絕緣層比所述第二絕緣層具有更低的孔隙度。

4.如權利要求1所述的電阻式存儲器器件，其中所述第二絕緣層比所述第一絕緣層具有更低的介電常數。

5.如權利要求4所述的電阻式存儲器器件，其中所述第二絕緣層包括：硼摻雜氧化硅層、磷摻雜氧化物層、硼和磷摻雜氧化物層、碳摻雜氧化硅層、氫倍半硅氧烷(HSQ)層、甲基倍半硅氧烷(MSQ)層、SiLK層、聚酰亞胺層、聚降冰片烯層、或聚合物電介質材料層。

6.如權利要求4所述的電阻式存儲器器件，其中所述第二絕緣層包括低k材料層，所述低k材料層比氧化硅(SiO₂)具有更低的介電常數。

7.如權利要求1所述的電阻式存儲器器件，其中所述第二絕緣層比所述第一絕緣層具有更高的孔隙度。

8.如權利要求7所述的電阻式存儲器器件，其中所述第二絕緣層比所述第一絕緣層具有更低的介電常數。

9.如權利要求1所述的電阻式存儲器器件，其中所述電阻式存儲器元件包括相變存儲器元件，并且所述第一絕緣層具有拉應力以及比所述第二絕緣層具有更高的硬度和更低的孔隙度。

10.如權利要求1所述的電阻式存儲器器件，其中所述導線包括與所述電阻式存儲器元件電連接的位線。

11.一種形成電阻式存儲器器件的方法，包括：

在襯底上形成具有第一開口的第一絕緣層；

在所述開口中形成電阻式存儲器元件；

在所述電阻式存儲器元件和所述第一絕緣層上形成第二絕緣層，該第二絕緣層具有暴露出所述電阻式存儲器元件的開口；以及

通過用傳導材料填充所述開口，來形成與所述電阻式存儲器元件連接的導線；

其中，形成所述第一絕緣層和所述第二絕緣層使得所述第一絕緣層和所述第二絕緣層在從下述組中選擇出的至少一個方面有所不同，所述組包括：硬度、應力、介電常數、導熱率和孔隙度。

12.如權利要求11所述的方法，其中所述第一絕緣層由呈現拉應力的絕緣材料形成。

13.如權利要求11所述的方法，其中所述第二絕緣層由下述材料形成，該材料比所述第一絕緣層具有更低的介電常數。

14.如權利要求13所述的方法，其中所述第二絕緣層由以下材料形成：硼摻雜氧化硅、磷摻雜氧化物、硼和磷摻雜氧化物、碳摻雜氧化硅、氫倍半硅氧烷(HSQ)、甲基倍半硅氧烷(MSQ)、SiLK、聚酰亞胺、聚降冰片烯、或聚合物電介質材料。

15.如權利要求11所述的方法，其中所述第一絕緣層由下述材料形成，該材料比所述第二絕緣層具有更高的拉應力、更高的硬度、以及更低的孔隙度。

16.一種形成電阻式存儲器器件的方法，包括：

在襯底上形成電阻式存儲器元件；

在所述襯底上形成第一絕緣層，該第一絕緣層覆蓋所述電阻式存儲器元件的側壁；

在所述電阻式存儲器元件和所述第一絕緣層上形成第二絕緣層，該第二絕緣層具有暴露出所述電阻式存儲器元件的開口；以及

通過用傳導材料填充所述開口，來形成與所述電阻式存儲器元件連接的導線，

其中，形成所述第一絕緣層和所述第二絕緣層使得所述第一絕緣層和所述第二絕緣層在從下述組中選擇出的至少一個方面有所不同，所述組包括：硬度、應力、介電常數、導熱率和孔隙度組成。

17.如權利要求16所述的方法，其中所述第一絕緣層由具有拉應力的絕緣材料形成。