[發明專利]太陽能電池及其制造方法

有效

• 申請號: 200910127104.8
• 申請日: 2009-03-11
• 公開（公告）號: CN101533864A
• 公開（公告）日: 2009-09-16
• 發明（設計）人: 瀧澤照夫;田中英樹
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H01L31/042
• 分類號: H01L31/042;H01L31/02;H01L31/18
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 余 剛;吳孟秋

1.一種太陽能電池，其特征在于，

在一對彼此相對的基板的各相對面上，形成具有不同功函數值的導電膜，并且所述導電膜之間夾持有硅層，所述一對基板至少其中之一是透明的，

其中，在所述一對基板之間設置有包圍所述硅層的側面的絕緣體隔板，

所述硅層是用于吸收太陽光并產生電荷的材料，

透明基板側的所述導電膜是透明的，且具有絕對值小于所述硅層所具有的費米能級的功函數，

從所述透明基板側使太陽光入射。

2.一種太陽能電池的制造方法，其特征在于，包括：

在基板的一個面上形成導電膜的步驟；

以包圍所述導電膜的周緣的方式形成絕緣體隔板的步驟；

在所述基板的一個面的被所述絕緣體隔板包圍的區域內填充液體硅組合物的步驟；

在透明基板的一個面上形成透明導電膜的步驟；

以所述透明導電膜與所述導電膜相對的方式在所述液體硅組合物上放置所述透明基板的步驟，以及

對所述液體硅組合物進行加熱處理的步驟。

3.根據權利要求2所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，

作為所述導電膜，使用具有絕對值大于由所述液體硅組合物固化而形成的硅層的費米能級的功函數值、且高反射率的金屬材料。

4.根據權利要求2所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，

作為所述透明導電膜，使用具有絕對值小于由所述液體硅組合物固化而形成的硅層的費米能級的功函數值、且帶隙為1eV以上的材料。

5.根據權利要求3所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，

作為所述透明導電膜，使用具有絕對值小于由所述液體硅組合物固化而形成的硅層的費米能級的功函數值、且帶隙為1eV以上的材料。

6.根據權利要求2至5中任一項所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，

在填充所述液體硅組合物時，使用液滴噴吐法。