[發(fā)明專利]偏壓電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910126946.1 | 申請(qǐng)日: | 2009-03-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101833345A | 公開(kāi)(公告)日: | 2010-09-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃志豪;黃國(guó)展 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 承景科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G05F1/46 | 分類號(hào): | G05F1/46;G05F3/24 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 陳松濤 |
| 地址: | 中國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 偏壓 電路 | ||
1.一種偏壓電路,包括:
電壓供應(yīng)單元,依據(jù)電源電壓的變動(dòng)來(lái)調(diào)整參考電壓的準(zhǔn)位,并據(jù)以輸出所述參考電壓;
電流產(chǎn)生單元,操作在所述電源電壓下,并通過(guò)所述參考電壓的驅(qū)動(dòng)而據(jù)以產(chǎn)生穩(wěn)定電流;以及
電流汲取單元,電連接所述電流產(chǎn)生單元,以配合所述電流產(chǎn)生單元的操作來(lái)汲取所述穩(wěn)定電流,
其中,所述偏壓電路通過(guò)所述電源電壓與所述參考電壓之間的電壓差來(lái)產(chǎn)生穩(wěn)定電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的偏壓電路,其中所述電壓供應(yīng)單元包括:
電阻,其第一端電連接至所述電源電壓,且所述電阻的第二端用于產(chǎn)生所述參考電壓;以及
第一N型晶體管,其漏極端電連接至所述電阻的第二端,所述第一N型晶體管的源極端電連接至接地電壓,且所述第一N型晶體管的柵極端用于接收固定電壓。
3.如權(quán)利要求1所述的偏壓電路,其中所述電流產(chǎn)生單元包括:
第一P型晶體管與第二P型晶體管,其中所述第一P型晶體管與所述第二P型晶體管的源極端電連接至所述電源電壓,所述第一P型晶體管與所述第二P型晶體管的柵極端彼此電連接,
其中,所述第一P型晶體管與所述第二P型晶體管分別在所述參考電壓的驅(qū)動(dòng)下,而各自通過(guò)其漏極端輸出所述穩(wěn)定電流。
4.如權(quán)利要求3所述的偏壓電路,其中所述電流汲取單元包括:
第二N型晶體管與第三N型晶體管,其中所述第二N型晶體管與所述第三N型晶體管的漏極端分別電連接至所述第一P型晶體管與所述第二P型晶體管的漏極端,所述第二N型晶體管與所述第三N型晶體管的柵極端彼此電連接,且所述第二N型晶體管與所述第三N型晶體管的源極端電連接至接地電壓。
5.如權(quán)利要求3所述的偏壓電路,其中所述電流產(chǎn)生單元還包括:
N個(gè)第三P型晶體管與N個(gè)第四P型晶體管,電連接在所述電流汲取單元以及所述第一P型晶體管與所述第二P型晶體管的漏極端之間,其中第i個(gè)第三P型晶體管與第i個(gè)第四P型晶體管的柵極端彼此電連接,且第i個(gè)第三P型晶體管與第i個(gè)第四P型晶體管的漏極端分別電連接至第(i+1)個(gè)第三P型晶體管與第(i+1)個(gè)第四P型晶體管的源極端,N為大于0的整數(shù),且1≤i≤(N-1)。
6.如權(quán)利要求5所述的偏壓電路,其中所述電流汲取單元包括:
第四N型晶體管與第五N型晶體管,其中所述第四N型晶體管與所述第五N型晶體管的漏極端分別電連接至第N個(gè)第三P型晶體管與第N個(gè)第四P型晶體管的漏極端,所述第四N型晶體管與所述第五N型晶體管的柵極端彼此電連接,且所述第四N型晶體管與所述第五N型晶體管的源極端電連接至接地電壓。
7.如權(quán)利要求6所述的偏壓電路,其中所述電流汲取單元還包括:
M個(gè)第六N型晶體管與M個(gè)第七N型晶體管,電連接在所述第四N型晶體管與所述第五N型晶體管的源極端以及所述接地電壓之間,其中第j個(gè)第六N型晶體管與第j個(gè)第七N型晶體管的柵極端彼此電連接,且第j個(gè)第六N型晶體管與第j個(gè)第七N型晶體管的源極端分別電連接至第(j+1)個(gè)第六N型晶體管與第(j+1)個(gè)第七N型晶體管的漏極端,M為大于0的整數(shù),且1≤j≤(M-1)。
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