[發明專利]氮化物半導體發光元件和氮化物半導體發光元件的制造方法無效
| 申請號： | 200910126852.4 | 申請日： | 2009-03-20 |
| 公開（公告）號： | CN101540475A | 公開（公告）日： | 2009-09-23 |
| 發明（設計）人： | 持田篤范;長谷川義晃 | 申請（專利權）人： | 松下電器產業株式會社 |
| 主分類號： | H01S5/028 | 分類號： | H01S5/028 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 李貴亮 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化物 半導體 發光 元件 制造 方法 | ||
1.一種氮化物半導體發光元件，其具備設置于基板上的氮化物半導體 的多層膜，其特征在于，
所述氮化物半導體的多層膜具有發光層及共振器的端面，且由氮化物 半導體結晶構成，
在所述共振器的所述端面的至少1個端面上設有由氮化鋁結晶構成的 保護膜，
所述保護膜具有結晶軸與構成設有所述保護膜的所述共振器的所述 端面的所述氮化物半導體結晶的結晶面相互成90度的結晶面。
2.一種氮化物半導體發光元件，其具備設置于基板上的氮化物半導體 的多層膜，其特征在于，
所述氮化物半導體的多層膜具有發光層及共振器的端面，且由氮化物 半導體結晶構成，
在所述共振器的所述端面的至少1個端面上設有由氮化物結晶或氮氧 化物結晶構成的保護膜，
在所述保護膜上設有由氮化鋁結晶構成的第2保護膜，
所述第2保護膜具有結晶軸與構成設有所述第2保護膜的所述共振器 的所述端面的所述氮化物半導體結晶的結晶面相互成90度的結晶面。
3.根據權利要求2所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，所述 保護膜由氮化鋁結晶構成。
4.根據權利要求1所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，所述 保護膜還具有結晶軸與構成設有所述保護膜的所述共振器的所述端面的 氮化物半導體結晶的結晶面相互平行的結晶面。
5.根據權利要求1所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，設有 所述保護膜的所述共振器的所述端面與所述保護膜的界面中的硅量為 1×1020原子/cm3以下。
6.根據權利要求5所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，當使 用二次離子質量分析法對所述界面中的硅量進行面積換算時，所述界面中 的所述硅量為2×1014原子/cm2以下。
7.根據權利要求1所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，在所 述保護膜上設有含有氧化物或氮氧化物的保護膜。
8.根據權利要求2所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，在所 述第2保護膜上設有含有氧化物或氮氧化物的保護膜。
9.根據權利要求7所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，所述 含有氧化物或氮氧化物的保護膜含有Al、Si、Zr、Ti、Ta、Ga、Nb和Hf 中的至少1種。
10.氮化物半導體發光元件的制造方法，其特征在于，所述氮化物半 導體發光元件中，在形成于氮化物半導體的多層膜的共振面的端面的至少 1個端面上，形成有具有結晶軸與構成所述端面的所述氮化物半導體結晶 的結晶面相互成90度的結晶面、且由氮化鋁結晶構成的保護膜，所述氮 化物半導體的多層膜由氮化物半導體結晶構成，
在含有分壓為20％以上的氮氣的等離子體氣氛中，至少在所述共振器 的所述端面中的所述1個端面上形成所述保護膜。
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