[發明專利]二極管

有效

• 申請號: 200910126539.0
• 申請日: 2009-03-12
• 公開（公告）號: CN101533859A
• 公開（公告）日: 2009-09-16
• 發明（設計）人: 三好誠二;岡田哲也
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社;三洋半導體株式會社
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/04;H01L29/12;H01L29/36
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 岳雪蘭

1.一種二極管，其特征在于，

具有：

n型半導體基板、

設置在該n型半導體基板上的n型的硅外延半導體層、

設置在該n型半導體層上的p型多晶硅層、

設置在該p型多晶硅層表面的第一電極、

設置在所述n型半導體基板的第二電極、

在所述p型多晶硅層的端部的所述n型半導體層設置高濃度的p型雜 質區域、

覆蓋所述p型雜質區域和所述硅外延半導體層，形成在所述多晶硅層 與所述硅外延半導體層之間的硅氧化膜、以及

在所述硅氧化膜的外周形成為環狀并且比所述硅氧化膜厚的氧化膜，

所述二極管構成為，將

所述n型半導體層作為陰極、將所述多晶硅作為陽極，從所述多晶硅 層對于所述n型半導體層貫穿所述硅氧化膜進行空穴注入。

2.如權利要求1所述的二極管，其特征在于，所述p型多晶硅層的厚 度是10μm。

3.如權利要求1所述的二極管，其特征在于，所述p型多晶硅層的雜 質濃度為1E17cm^-3。

4.如權利要求1所述的二極管，其特征在于，所述p型多晶硅層連續 覆蓋在所述p型雜質區域內側的所述n型半導體層上。