[發明專利]顯示裝置及電子設備

有效

• 申請號: 200910118337.1
• 申請日: 2009-02-27
• 公開（公告）號: CN101527350A
• 公開（公告）日: 2009-09-09
• 發明（設計）人: 西村貞一郎;安部薰;淺木玲生;三谷正博
• 申請（專利權）人: 索尼株式會社
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;B32B9/04;B32B27/06
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳 煒;李春暉

相關申請的交叉引用

本發明包含與2008年3月3日在日本專利局遞交的日本專利申請JP 2008-052136相關的主題，該日本專利申請的全部內容通過引用合并于此。

技術領域

本發明涉及帶有具有適合于使產生的光諧振的諧振結構的顯示區的 顯示裝置，更具體地，涉及使用有機電致發光元件的具有高的光取出效率 的頂部發光顯示裝置以及使用該頂部發光顯示裝置的電子設備。

背景技術

目前有機電場發光元件正在引起關注。這些元件在其陽極和陰極之間 具有有機層。該有機層包括逐一堆疊的有機空穴傳輸層和有機發光層。另 一方面，這些元件具有包括由于吸濕性而導致的、以減小的發光照度和不 穩定的發光為代表的長期穩定性低的缺點。因此，在使用有機電場發光元 件的顯示裝置中，用保護膜覆蓋所述元件以防止水分接觸它們。

因此，根據此觀點，使用例如氮化氧化硅膜(silicon?oxide?nitride?film) 或氮化硅膜來作為適合于覆蓋有機電場發光元件的保護膜。氮化氧化硅膜 折射率低且透射率高，這是非常有利的裝置特性。但是，該膜耐濕性差。 因此，必須將該膜形成得相當厚。然而，形成厚的膜導致了增大的內應力， 從而使得該膜剝離陰極電極或在該膜中產生微裂紋。這導致了矛盾，即， 有機電場發光元件的特性和耐濕性的降低。

另一方面，對于氮化硅而言，已經提出了等離子體CVD(化學氣相 沉積)方法，其中只使用硅烷和氮氣作為源氣，而不使用氨氣。由此形成 的由氮化硅膜形成的保護膜無裂紋并且不會剝離，因此確保了有機電場發 光元件的穩定操作(例如，參照日本專利公開2000-223264)。

對于使用硅烷的膜形成方法而言，氮氣和氫氣是源氣，另一方面，已 經提出了三層的結構，以提供保護膜中的減少的殘余應力并由此防止膜剝 離。可以通過改變氮氣濃度以控制膜厚度來形成包括介于低密度氮化硅膜 之間的高密度氮化硅膜的三層結構(例如，參照日本專利公開 2004-63304)。但是，這些方法導致了保護膜的降低的透射率。特別是對 于藍光波長(約450nm)而言，這導致了嚴重降低的透射率，由此導致 了降低的色彩再現性。為此，已經提出了另一方法，其中使用氨氣來形成 具有改善的透射率和優良的覆蓋的膜(例如，參照日本專利公開 2007-184251，在下文中稱為專利文獻3)。

發明內容

然而，專利文獻3中公開的方法盡管提供了保護膜的優良的耐濕性， 但卻導致了高折射率(例如1.85至1.91)。因此，在與上覆的樹脂層之間 的界面上發生反射。如果膜厚度減小，則由于保護膜的膜厚度分布，該反 射連同薄膜干涉一起導致了跨表面取出的光的色度和照度的偏差。這使得 不可能保證足夠的處理容限。因此，必須增大膜厚度以產生多重干涉，以 消除由于膜厚度分布導致的色度偏差。另一方面，增大膜厚度需承擔增大 的生產節拍時間(tact?time)和成本。此外，與減小膜厚度相比，增大膜 厚度導致了保護膜的更低的透射率。特別地，針對藍光波長(約450nm) 的透射率將會嚴重降低，由此導致了降低的色彩再現性。

本實施例為一種顯示裝置，其包括：具有適合于使產生的光諧振的諧 振結構的顯示區，形成用以覆蓋該顯示區的保護膜，在保護膜上形成的樹 脂層，通過樹脂層附著的密封層。保護膜包括單個氮化硅層。保護膜具有 在450nm的波長時的介于1.65與1.75之間的折射率。本實施例還涉及 一種電子設備，該電子設備在其主體殼體內具有所述顯示裝置。

特別地，在本實施例中使用的保護膜是使用硅烷、氨氣和氮氣通過化 學氣相沉積形成的。該膜包括逐一堆疊的低折射率氮化硅膜。該保護膜在 厚度上介于100nm與1μm之間。因此，在該保護膜中幾乎不存在應力。

因此，使得該保護膜的折射率更接近于樹脂層的折射率，從而即使該 保護膜被減小厚度也能提供較長的干涉波長。這消除了由于膜厚度分布而 導致的、跨表面取出的光的色移。