[發(fā)明專利]一種雙扁平無引腳封裝件及其生產(chǎn)方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910117517.8
• 申請日: 2009-10-17
• 公開（公告）號: CN101694838A
• 公開（公告）日: 2010-04-14
• 發(fā)明（設計）人: 郭小偉;慕蔚
• 申請（專利權(quán)）人: 天水華天科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/13;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 甘肅省知識產(chǎn)權(quán)事務中心 62100
• 代理人: 鮮林

1.一種雙扁平無引腳封裝件，包括引線框架載體、粘片膠、IC芯片、IC芯片上的焊盤、鍵合線、框架內(nèi)引腳及塑封體，其特征在于：

所述封裝載體設有單載體(1)封裝，載體(1)下表面設有凹坑(9)；所述塑封體包括上塑封體(8)和下塑封體(15)；上塑封體(8)和下塑封體(15)將載體從上、下雙面包圍封裝，不外露。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙扁平無引腳封裝件，其特征在于所述上塑封體(8)包圍引線框架載體(1)的上表面及側(cè)面、粘接材料(3)、IC芯片(4)、鍵合線(6)、內(nèi)引腳(5)的上表面；所述下塑封體(15)包圍載體(1)下表面的凹坑(9)、內(nèi)引腳(5)下端的凹坑(7)，載體(1)的下側(cè)面；上、下塑封體連同被包圍的部分構(gòu)成電路的整體。

3.一種雙扁平無引腳封裝件，包括引線框架載體、粘片膠、IC芯片、IC芯片上的焊盤、鍵合線、框架內(nèi)引腳及塑封體，其特征在于：

所述封裝載體設有雙載體(1)、(2)封裝；所述塑封體包括上塑封體(8)和下塑封體(15)；上塑封體(8)和下塑封體(15)將載體從上、下雙面包圍封裝，不外露。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種雙扁平無引腳封裝件，其特征在于所述雙載體的載體(1)下表面設有凹坑(9)，載體(2)下表面設有凹坑(13)，凹坑(9)和(13)之間設一棱(14)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種雙扁平無引腳封裝件，其特征在于所述上塑封體(8)包圍引線框架載體(1)和載體(2)的上表面及側(cè)面、粘接材料(3)和(10)、IC芯片(4)和(11)、鍵合線(6)、內(nèi)引腳(5)的上表面、載體(1)和載體(2)間的凹槽(12)；所述下塑封體(15)包圍載體(1)下表面的凹坑(9)和載體(2)下表面的凹坑(13)、內(nèi)引腳(5)下端的凹坑(7)，載體(1)和載體(2)的下側(cè)面；上、下塑封體連同被包圍的部分構(gòu)成電路的整體。

6.一種生產(chǎn)如權(quán)利要求1所述雙扁平無引腳封裝件的方法，其特征在于按下述方法和步驟生產(chǎn)：

a、減薄、封裝成形為0.75mm時，晶圓減薄厚度為70μm～220μm，芯片堆壘封裝，上層芯片厚度70μm～90μm，下層芯片厚度130μm～150μm，普通封裝：晶圓減薄厚度為180μm～220μm；采用先粗磨，后細磨的防翹曲、防碎片減薄工藝，其中芯片堆疊封裝：

b、劃片

180μm～220μm晶圓劃片同普通DFN劃片工藝，150μm及其以下厚度的晶圓采用雙刀劃片機及其工藝；

c、上芯、粘片

d、壓焊

采用低弧度壓焊工藝，弧度在150μm以內(nèi)；

e、塑封

上塑封體厚0.30mm～0.55mm，下塑封體0.10mm，選擇膨脹系數(shù)：α1≤1，α2≤3.5的低應力、吸水率：0.40％的塑封料，并使用自動包封系統(tǒng)的多段注塑程序，調(diào)整控制塑封過程，防止沖線和芯片表面分層；

f、電鍍

采用自動電鍍線電鍍；

g、切割、分離

先沿載體背面中間的棱切割0.11mm±0.015mm深度，將一個大載體分割成2個小載體；再切割分離、產(chǎn)品自動入管或入料盤同普通DFN。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種生產(chǎn)雙扁平無引腳封裝件的方法，其特征在于所述芯片采用堆疊封裝時，下層芯片70μm～90μm，上層芯片130μm～150μm；上芯時下面芯片采用導電膠或絕緣膠，工藝同普通DFN上芯；上層芯片采用絕緣膠使用上芯機上芯。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種生產(chǎn)雙扁平無引腳封裝件的方法，其特征在于所述上層芯片采用絕緣膠膜片使用上芯機上芯。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種生產(chǎn)雙扁平無引腳封裝件的方法，其特征在于所述堆疊封裝的劃片，使用雙刀劃片機及其工藝。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的生產(chǎn)方法，其特征在于所述封裝成形為0.5mm時：

a、減薄、劃片

IC芯片厚度為70μm～90μm；

b、劃片

劃片使用雙刀劃片機及其操作方法；

c、上芯、粘片

粘片厚度在20μm以內(nèi)，采用絕緣膠或著絕緣膠膜兩種工藝；

d、壓焊

采用超低弧度壓焊工藝，弧高在100μm以內(nèi)；

e、塑封

上塑封體厚0.30mm～0.55mm，下塑封體0.10mm，選擇膨脹系數(shù)：α1≤1，α2≤3.5的低應力、吸水率：0.40％的塑封料，并使使用自動包封系統(tǒng)的多段注塑程序，調(diào)整控制塑封過程，防止沖線和芯片表面分層；

f、電鍍

采用自動電鍍線電鍍；

g、切割、分離

先沿載體背面中間的棱切割0.11mm±0.015mm深度，將一個大載體分割成2個小載體；再切割分離、產(chǎn)品自動入管或入料盤同普通DFN。