[發明專利]鉍/鉍銻外延超晶格納米線及其制備方法

無效

• 申請號: 200910116486.4
• 申請日: 2009-04-07
• 公開（公告）號: CN101857971A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發明（設計）人: 竇新存;李廣海;雷和暢;李亮;黃小虎
• 申請（專利權）人: 中國科學院合肥物質科學研究院
• 主分類號: C30B29/68
• 分類號: C30B29/68;C30B29/62;C30B30/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種鉍/鉍銻外延超晶格納米線，包括鉍納米線，其特征在于：

所述鉍納米線與鉍銻納米線外延連接成鉍/鉍銻超晶格納米線；

所述鉍/鉍銻超晶格納米線的直徑為30～120nm，其中的鉍納米線的每段長度為3～99nm、鉍銻納米線的每段長度為3～99nm；

所述鉍銻納米線中的鉍含量為80～50％、銻含量為20～50％。

2.根據權利要求1所述的鉍/鉍銻外延超晶格納米線，其特征是鉍/鉍銻超晶格納米線中的鉍納米線和鉍銻納米線的段數均為3～10000段。

3.根據權利要求1所述的鉍/鉍銻外延超晶格納米線，其特征是鉍/鉍銻超晶格納米線位于多孔氧化鋁模板中。

4.一種權利要求1所述鉍/鉍銻外延超晶格納米線的制備方法，包括脈沖電化學沉積法，其特征在于完成步驟如下：

步驟1，先將濃度為0.02～0.06M的氯化鉍和濃度為0.06～0.1M的氯化銻溶于濃度為0.08～0.12M的鹽酸中，得的混合溶液，再向攪拌下的混合溶液中依次加入濃度為0.25～0.29M的酒石酸、濃度為0.22～0.26M的檸檬酸和濃度為0.1～0.14M的氯化鈉，待其溶解后加入濃度為0.08～0.12M的丙三醇，并繼續攪拌至少1h，之后，用堿溶液調節其pH值為0.8～0.84，得到電沉積液；

步驟2，將一面鍍有金膜的多孔氧化鋁模板作為陰極，置于溫度為30～40℃的電沉積液中，于脈沖電壓下進行電沉積，所述脈沖電壓由兩組交替串接的脈沖構成，其中的一組脈沖為相互間隔的脈沖延遲電壓與鉍脈沖沉積電壓、另一組脈沖為相互間隔的脈沖延遲電壓與鉍銻脈沖沉積電壓，所述脈沖延遲電壓的脈沖寬度為12ms、電壓為0V，所述鉍脈沖沉積電壓的脈沖寬度為8ms、電壓為-1.4～-1.6V，所述鉍銻脈沖沉積電壓的脈沖寬度為8ms、電壓為-1.7～-2V；

步驟3，將電沉積有鉍/鉍銻外延超晶格納米線的多孔氧化鋁模板置于強堿溶液中腐蝕掉氧化鋁模板，制得鉍/鉍銻外延超晶格納米線。

5.根據權利要求4所述的鉍/鉍銻外延超晶格納米線的制備方法，其特征是堿溶液為濃度為0.05M的氫氧化鈉溶液或濃度為0.1M的氨水。

6.根據權利要求4所述的鉍/鉍銻外延超晶格納米線的制備方法，其特征是金膜的厚度為150～250nm。

7.根據權利要求4所述的鉍/鉍銻外延超晶格納米線的制備方法，其特征是多孔氧化鋁模板的孔徑為30～120nm。

8.根據權利要求4所述的鉍/鉍銻外延超晶格納米線的制備方法，其特征是電沉積時的陽極為石墨。

9.根據權利要求4所述的鉍/鉍銻外延超晶格納米線的制備方法，其特征是每組鉍脈沖沉積電壓的累計脈沖寬度為1～33s，每組鉍銻脈沖沉積電壓的累計脈沖寬度為0.3～10s。

10.根據權利要求4所述的鉍/鉍銻外延超晶格納米線的制備方法，其特征是強堿溶液為氫氧化鈉溶液，或氫氧化鉀溶液，或氫氧化鋰溶液。