[發明專利]一種三元硫屬半導體化合物納米帶的制備方法有效
| 申請號： | 200910116312.8 | 申請日： | 2009-03-09 |
| 公開（公告）號： | CN101503184A | 公開（公告）日： | 2009-08-12 |
| 發明（設計）人： | 蔣陽;李國華;王春;藍新正;劉新梅 | 申請（專利權）人： | 合肥工業大學 |
| 主分類號： | C01B19/00 | 分類號： | C01B19/00 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安專利代理有限責任公司 | 代理人： | 汪祥虬 |
| 地址： | 230009*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 三元 半導體 化合物 納米 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種禁帶連續可調的三元硫屬半導體化合物納米帶的制備方法，其特征在于：先用流速為50-100標況毫升/分的氬氣或氮氣作為運載氣體，在800-1000℃對純凈化合物ZnSe或CdSe進行熱蒸發，氣壓保持在1.3×104-5.2×104Pa保溫1-3小時；再將體系降溫到600-800℃，將原運載氣體改為H2S和Ar的混合氣，其中H2S的體積百分含量在5-20％，混合氣總流速控制在50-100標況毫升/分，保持1.3×104-5.2×104Pa氣壓進行硫化，控制不同的硫化時間，即可得到不同組分的三元MSXSe1-X納米帶，其中M為Zn或Cd，0＜X＜1。
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