[發(fā)明專利]一種基于基片集成波導(dǎo)的微帶諧振器無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910115916.0 | 申請(qǐng)日: | 2009-08-05 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101626104A | 公開(kāi)(公告)日: | 2010-01-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉海文;萬(wàn)晶 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華東交通大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01P7/08 | 分類號(hào): | H01P7/08 |
| 代理公司: | 南昌新天下專利代理有限公司 | 代理人: | 施秀瑾 |
| 地址: | 330013江*** | 國(guó)省代碼: | 江西;36 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 集成 波導(dǎo) 微帶 諧振器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于波導(dǎo)型諧振器領(lǐng)域,具特別涉及一種頻率控制器件。
背景技術(shù)
在討論電感性能時(shí),Q值是最重要的衡量指標(biāo),它是一個(gè)無(wú)量綱的參數(shù),用于比較振蕩頻率和能量損耗速率。Q值越高,電感的性能就越接近于理想的無(wú)損電感。也就是說(shuō),它在諧振電路中的選擇性更好。高Q值的另一個(gè)好處是損耗低,也就是說(shuō)電感消耗的能量少。
互補(bǔ)開(kāi)口諧振環(huán)(CSRR),最初由馬丁等人提出。通過(guò)在共面波導(dǎo)傳輸線的背部基片一側(cè)蝕刻開(kāi)口諧振環(huán)(SRR)實(shí)現(xiàn),由于CSRR是一種介電常數(shù)和磁導(dǎo)率同時(shí)為負(fù)值的材料,我們稱之為人造結(jié)構(gòu)(或材料),用以設(shè)計(jì)的低通諧振器結(jié)構(gòu)緊湊。然而,Q值通常不高。
SIW是可以集成于介質(zhì)基片中的具有低插入損耗、低輻射等特性的新的導(dǎo)波結(jié)構(gòu)。它是在上下表面為金屬層的低損耗介質(zhì)基片上,通過(guò)在基片上打一系列金屬通孔以實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)的金屬波導(dǎo)的功能。基片集成波導(dǎo)器件的一個(gè)重要性質(zhì)是具有與傳統(tǒng)矩形波導(dǎo)相近的特性,原先形式的SIW被采用便是通過(guò)集成在微帶結(jié)構(gòu)基片上的矩形波導(dǎo),因此,SIW諧振器比微帶有更高的Q值,比矩形波導(dǎo)成本更低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是利用CSRR和SIW的不同特點(diǎn),設(shè)計(jì)出一種基于基片集成波導(dǎo)的微帶諧振器。
本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:即首先在基片上形成CSRR諧振器,然后在CSRR諧振器的兩個(gè)邊上加載SIW結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明所述的在CSRR諧振器兩邊加載SIW結(jié)構(gòu),是由一系列的打在基片上的金屬通孔組成。
本發(fā)明所述的CSRR諧振器,其晶胞單元結(jié)構(gòu)由一系列交指型電容器和一對(duì)枝節(jié)式電感組成,并通過(guò)通孔短路到接地平面,在共面波導(dǎo)傳輸線的背部基板一側(cè)蝕刻開(kāi)口諧振環(huán)。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比所具有的優(yōu)點(diǎn)是:在不增加電路面積和加工復(fù)雜程度的前提下,采用SIW結(jié)構(gòu)的CSRR諧振器可以有效地提高Q值;且本發(fā)明設(shè)計(jì)小巧,結(jié)構(gòu)緊湊,易于集成,在密集的集成電路中使用方便;由于對(duì)稱性,此結(jié)構(gòu)也可以直接從微帶系統(tǒng)移植到共面波導(dǎo)系統(tǒng)。
附圖說(shuō)明
圖1是常規(guī)CSRR諧振器的布局示意圖,其中1為CSRR諧振器的晶胞單元結(jié)構(gòu),2為交指型電容器,3為枝節(jié)式電感,W1為晶胞單元邊長(zhǎng),W2為單元結(jié)構(gòu)中間隙與側(cè)邊之間的距離,W3為交指型電容器的指寬,S1為單元結(jié)構(gòu)中內(nèi)部間隙寬度,S2為交指型電容器的指間間隙寬度,S3為枝節(jié)電感寬度。
圖2是使用了SIW結(jié)構(gòu)的CSRR諧振器的布局示意圖,(a)為頂端視圖,(b)為底端視圖;
圖2(a)中,1為常規(guī)CSRR諧振器的晶胞單元結(jié)構(gòu),2為交指型電容器,3為枝節(jié)式電感,4為SIW結(jié)構(gòu),5為通孔,6為輸入端口,7為輸出端口,L為SIW結(jié)構(gòu)介質(zhì)基片長(zhǎng)度,W為CSRR輸入端口寬度,r為通孔直徑,d為通孔間距。
圖2(b)中,8為開(kāi)口諧振環(huán),RI和RO為底端開(kāi)口諧振環(huán)的半徑,W4為環(huán)的寬度,S4為環(huán)的開(kāi)口寬度。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明專利進(jìn)一步說(shuō)明。
在圖1中,常規(guī)CSRR諧振器的晶胞單元結(jié)構(gòu)1由一系列交指型電容器2和一對(duì)枝節(jié)式電感3組成,并通過(guò)通孔5短路到接地平面;根據(jù)交指型電容器,在接地平面蝕刻開(kāi)口諧振環(huán)8;CSRR是一種介電常數(shù)和磁導(dǎo)率同時(shí)為負(fù)值的材料。
本實(shí)施例的微帶諧振器,在常規(guī)CSRR諧振器的兩個(gè)邊加載有SIW結(jié)構(gòu)4;如圖2所示,SIW結(jié)構(gòu)是在上下表面為金屬層的低損耗介質(zhì)基片上,通過(guò)在基片上打一系列金屬通孔5實(shí)現(xiàn)的。信號(hào)從輸入端口6輸入,從輸出端口7輸出;通孔5限制了電磁場(chǎng)在SIW中的傳播;基于基片集成波導(dǎo)SIW結(jié)構(gòu)4與一對(duì)枝節(jié)式電感3相連;由于采用加載了的SIW結(jié)構(gòu),進(jìn)一步抑制了波的泄露,獲得了更好的傳輸特性;在具體實(shí)施中,通過(guò)設(shè)計(jì)和調(diào)節(jié)SIW結(jié)構(gòu)的通孔直徑r和通孔間距d,從而,使得傳統(tǒng)的CSRR諧振器的輸出信號(hào)線性特性大為提升,獲得更高的Q值。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于華東交通大學(xué),未經(jīng)華東交通大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910115916.0/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 企業(yè)應(yīng)用集成平臺(tái)構(gòu)建方法和體系結(jié)構(gòu)
- 竹集成材折疊椅
- 高精密集成化油路板
- 一種多指標(biāo)集成試劑并行檢測(cè)任意組合集成器
- 一種多指標(biāo)集成試劑并行檢測(cè)任意組合集成器
- 一種基于響應(yīng)的高并發(fā)輕量級(jí)數(shù)據(jù)集成架構(gòu)的實(shí)現(xiàn)方法及其系統(tǒng)
- 基于測(cè)試流程改進(jìn)的系統(tǒng)集成方法及裝置
- 一種數(shù)據(jù)映射集成的方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種便捷式電器置換集成灶
- 分體式集成灶用穿線裝置





