[發明專利]一種高像素密度LED顯示模塊及其制作方法

有效

• 申請號: 200910115903.3
• 申請日: 2009-08-03
• 公開（公告）號: CN101625981A
• 公開（公告）日: 2010-01-13
• 發明（設計）人: 萬金平;曹喜平;劉淑梅;任強
• 申請（專利權）人: 南昌欣磊光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/78;H01L33/00;G09F9/33
• 代理公司: 南昌平凡知識產權代理事務所
• 代理人: 徐光熙

1.一種高像素密度LED顯示模塊的制作方法，其特征在于，

任取一片砷化鎵基板外延片，在外延片的P層表面形成電極圖形及歐姆接觸；

從外延片P層表面的特定位置向下切割形成深度超過外延片中P型材料厚度的溝槽，在溝槽中蒸鍍N型歐姆接觸金屬并形成歐姆接觸；

將外延片底部粘貼在硅片上，然后在與溝槽垂直的方向將外延片切割成獨立的行塊排列，行塊的排列是利用粘貼于底部的硅片來保持其排列完整性的；

按行排列垂直的方向從表面向下進行列切割，從而使行塊成為獨立的像素單元，切割深度以分離行塊中P型層的連接，以不破壞N型層的連接為準。

2.根據權利要求1所述的一種高像素密度LED顯示模塊的制作方法，其特征在于，在所述按行排列垂直的方向從表面向下進行列切割時，需保持行塊中N型層的連接，從而使得顯示模塊內部同行的各像素單元的N型導通可通過行塊內本身的N型材料來實現。

3.根據權利要求1所述的一種高像素密度LED顯示模塊的制作方法，其特征在于，從P型表面向下切割形成的溝槽在最終形成的模塊中處于邊緣位置，其作用在于制作外部控制電路與顯示模塊內部行塊的電路連接。