[發明專利]發光半導體的互補電極結構及其制造方法

無效

• 申請號: 200910115793.0
• 申請日: 2009-07-31
• 公開（公告）號: CN101626057A
• 公開（公告）日: 2010-01-13
• 發明（設計）人: 劉軍林;管志斌;江風益
• 申請（專利權）人: 晶能光電（江西）有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1、一種發光半導體的互補電極結構，包括發光材料層、位于發光材料層上 方出光面的第一電極和位于發光材料層下方、背向出光面的第二電極，發光材 料層包括與第一電極接觸的第一摻雜層和與第二電極接觸的第二摻雜層，所述 第二摻雜層包括與所述第二電極接觸的表面層，其特征在于：所述表面層包括 相對表面層其它區域更高電阻的高阻層，該高阻層所在表面層上的區域為所述 第一電極在所述第二摻雜層表面上的投影區域。

2、根據權利要求1所述的發光半導體的互補電極結構，其特征在于：所述 高阻層經過等離子體鈍化處理，其和所述第二電極接觸，形成相對所述第二摻 雜層表面層的其它區域更高電阻。

3、根據權利要求1所述的發光半導體的互補電極結構，其特征在于：所述 第一電極為N電極，所述第一摻雜層為N型摻雜層；所述第二電極為P電極， 所述第二摻雜層為P型摻雜層。

4、根據權利要求1所述的發光半導體的互補電極結構，其特征在于：所述 發光半導體為垂直電極結構。

5、根據權利要求4所述的發光半導體的互補電極結構，其特征在于：所述 發光材料層在硅襯底上生長形成。

6、根據權利要求1所述的發光半導體的互補電極結構，其特征在于：所述 發光材料層的表面包裹有鈍化層，在所述第二摻雜層底面有鈍化環邊，環邊與 所述鈍化層連成一體。

7、根據權利要求1至6中任一項所述的發光半導體的互補電極結構，其特 征在于：所述P電極的材質為鉑、銀、鉑銀合金、鉑銀鋅合金和鉑銀鎂合金中 的任一種。

8、一種發光半導體的互補電極結構的制造方法，包括以下步驟：

用掩膜覆蓋與所述第一電極在所述第二摻雜層表面上的投影區域以外的互 補區域；

對暴露的所述投影區域進行等離子體處理，使該區域相對被覆蓋的互補區域 具有更高電阻；

去除所述第二電極區域上面覆蓋的掩膜；

再在第二摻雜層表面上形成第二電極，第二電極與等離子體處理的所述投影 區域形成高阻接觸。

9、根據權利要求8所述的發光半導體的互補電極結構的制造方法，其特征 在于：

所述掩膜為光刻膠。

10、根據權利要求8所述的發光半導體的互補電極結構的制造方法，其特征 在于：所述等離子體為SF₆、氟利昂、C₄F₈、CF₄、O₂或A_r等離子體物質中至 少一種。

11、根據權利要求8所述的發光半導體的互補電極結構的制造方法，其特征 在于還包括：先在硅襯底上生長形成氮化鎵發光材料層。