[發明專利]一種生長多晶硅錠的坩堝有效
| 申請號： | 200910115634.0 | 申請日： | 2009-07-02 |
| 公開（公告）號： | CN101597793A | 公開（公告）日： | 2009-12-09 |
| 發明（設計）人： | 胡動力;張濤;王人松 | 申請（專利權）人： | 江西賽維LDK太陽能高科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B28/06 | 分類號： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 江西省專利事務所 | 代理人： | 楊志宇 |
| 地址： | 338000江西省新余市高*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 生長 多晶 坩堝 | ||
【權利要求書】：
1.一種生長多晶硅錠的坩堝，其特征在于：坩堝的底板(2)上設置有多個孔(3)；孔(3) 的深度為10mm；孔(3)與坩堝的底板(2)平齊處的孔徑為12mm；孔(3)在坩堝的底板(2) 分布的密度為20個/平方分米；坩堝的底板(2)是整體式的。
2.如權利要求1所述的一種生長多晶硅錠的坩堝，其特征在于：所述的孔(3)的直徑沿著 孔的開口方向逐漸增大。
3.如權利要求1或2所述的一種生長多晶硅錠的坩堝，其特征在于：所述的孔(3)的形狀 為圓錐形。
4.如權利要求1、2中任意一項所述的一種生長多晶硅錠的坩堝，其特征在于：在坩堝的底 板(2)四周有側壁(1)，坩堝的底板(2)與側壁(1)圍攏形成坩堝的空腔(4)。
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