[發明專利]一種多晶硅錠及其制備方法

無效

• 申請號: 200910115260.2
• 申請日: 2009-04-29
• 公開（公告）號: CN101876085A
• 公開（公告）日: 2010-11-03
• 發明（設計）人: 中野研吾;杜嘉斌
• 申請（專利權）人: 江西賽維LDK太陽能高科技有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B28/06;C01B33/021
• 代理公司: 江西省專利事務所 36100
• 代理人: 楊志宇

1.一種多晶硅錠，其特征在于：該多晶硅錠中的P型雜質占總重量的0.00004-0.0004％，其電阻率為1-3Ω·cm。

2.一種多晶硅錠，其特征在于：該多晶硅錠中的P型雜質的含量占總重量的0.00004-0.0004％，其電阻率為1-3Ω·cm，其中的硅的含量占總重量的99.9-99.9999％。

3.一種多晶硅錠，其特征在于：該多晶硅錠中的P型雜質的含量占總重量的0.00004-0.0004％，其電阻率為1-3Ω·cm，其中的硅的含量占總重量的99.9-99.9999％，N型雜質的含量占總重量的0.000083％-0.00113％。

4.權利要求1-3所述的任意一種多晶硅錠的制備方法，其特征在于：采用P型雜質占總重量的0.00004-0.0004％的硅原料通過定向凝固法制備得到。

5.權利要求1-3所述的任意一種多晶硅錠的制備方法，其特征在于：采用P型雜質占總重量的0.00004-0.0004％的硅原料通過在定向凝固過程中加入平均重量含量為0.000073％-0.0029％的N型雜質制備得到。

6.權利要求5所述的任意一種多晶硅錠的制備方法，其特征在于：還可以在硅料被加熱熔融過程中連續添加P型雜質。

7.權利要求6所述的任意一種多晶硅錠的制備方法，其特征在于：連續添加的P型雜質所占總重量的為0-0.00036％。

8.如權利要求5所述的一種多晶硅錠制備方法，采用定向凝固法制備得到，其特征在于：所述的N型雜質是含磷的母合金。

9.如權利要求6或7所述的一種多晶硅錠制備方法，采用定向凝固法制備得到，其特征在于：所述的P型雜質是含硼的母合金。

10.權利要求1-3所述的任意一種多晶硅錠的制備方法，其特征在于：取硅原料和含磷的母合金，含硼的母合金待用；該硅原料經過測量其中的硅的平均重量含量為99.9-99.999％，硼的平均重量含量為0.00004-0.0004％，磷的平均重量含量為0.00001-0.0005％；含磷的母合金經過測量，折算為以多晶硅錠中磷含量計算為0.000073％-0.0029％；含硼的母合金經過測量，折算為以多晶硅錠中硼含量計算為0-0.00036％。將該硅原料放入定向凝固爐中，按配料、裝料、硅料被加熱熔融、冷卻、凝固工序生產得到多晶硅錠，其中：在配料過程或硅料被加熱熔融中加入含磷的母合金，并在硅料被加熱熔融的過程中連續添加含硼的母合金。