[發明專利]一種高純納米氧化銪粉體的制備方法無效
| 申請號： | 200910114824.0 | 申請日： | 2009-01-12 |
| 公開（公告）號： | CN101462761A | 公開（公告）日： | 2009-06-24 |
| 發明（設計）人： | 陳偉凡 | 申請（專利權）人： | 南昌大學 |
| 主分類號： | C01F17/00 | 分類號： | C01F17/00 |
| 代理公司： | 南昌新天下專利代理有限公司 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330031江西省*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高純 納米 氧化 銪粉體 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種高純納米氧化銪粉體的制備方法，其特征是用一元羧酸溶解高純碳酸銪或氧化銪或氫氧化銪，形成澄清的羧酸銪溶液，再將澄清的羧酸銪溶液在70～110℃溫度下濃縮，冷卻，至出現結晶，分離結晶體，然后將晶體烘干，再在700～1100℃溫度下煅燒1～4小時。
2、根據權利要求1所述的方法，其特征是所述的一元羧酸為碳原子數大于2。
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