[發明專利]一種電解電容器用陽極鋁箔有支孔的腐蝕工藝

有效

• 申請號: 200910114096.3
• 申請日: 2009-05-23
• 公開（公告）號: CN101550584A
• 公開（公告）日: 2009-10-07
• 發明（設計）人: 宋洪洲;蔡小宇;熊傳勇;陸雅軍
• 申請（專利權）人: 廣西賀州市桂東電子科技有限責任公司
• 主分類號: C25F3/04
• 分類號: C25F3/04;H01G9/045;H01G9/055
• 代理公司: 桂林市華杰專利商標事務所有限責任公司
• 代理人: 羅玉榮

技術領域

本發明涉及鋁電解電容器陽極鋁箔腐蝕工藝，特別是一種電解電容器用陽極鋁箔有支孔的腐蝕工藝。

背景技術

鋁電解電容器用陽極箔，為了擴大其有效表面積，增加單位面積的靜電容量(比容)，一般用電化學或者化學腐蝕來處理鋁箔。腐蝕工藝流程一般包括以下步驟：前處理、一級腐蝕(前級腐蝕)、二級腐蝕(后級腐蝕)、后處理。前處理的主要作用是用于對鋁箔表面的預處理，除去鋁箔表面的油污和雜質；一級腐蝕主要是使鋁箔表面形成具有一定深度和孔徑的初始蝕孔；二級腐蝕主要是將一次腐蝕時形成的初始蝕孔進行進一步擴大和加深；后處理的主要作用是消除鋁箔表面殘留的金屬雜質和蝕孔中的氯離子，消除淤積于蝕孔中的氫氧化鋁等。目前的腐蝕方法制備的腐蝕箔其截面孔洞基本上沒有支孔形成，比容上升空間有限。有關鋁箔腐蝕方面的研究國內也曾有過很多報道，但僅限于直孔腐蝕，未見有支孔腐蝕的報道。

發明內容

本發明目的是為了克服現有技術不能進行支孔腐蝕的技術問題，提供一種既提高陽極鋁箔的靜電容量，同時不損失其機械強度的電解電容器用陽極鋁箔有支孔的腐蝕工藝。

實現本發明目的的技術方案是：

本發明的鋁箔支孔腐蝕工藝，包括前處理、一級腐蝕A、二級腐蝕和后處理工序，與現有技術不同的是在鋁箔完成一級腐蝕A處理之后，增加了中處理和一級腐蝕B處理兩個步驟。

所述的一級腐蝕A即為現有腐蝕工藝流程中的一級腐蝕。

所述的中處理是將一級腐蝕A處理過的鋁箔放在溫度為50℃～80℃，含有5wt％～15wt％硝酸和0.10～1.08g/L添加劑C的混合液中浸泡30～100秒，中處理的作用是清洗一級腐蝕A發孔的殘留液以及鈍化蝕孔表面。

所述的添加劑C為正辛胺，用量為0.10～1.08g/L。

所述的一級腐蝕B是將中處理過的鋁箔放在溫度為65℃～69℃，含有1wt％～10wt％鹽酸和20wt％～40wt％硫酸的混合液中，施加電流密度為200～1000mA/cm²的直流電進行電解腐蝕30～180秒。一級腐蝕B的作用是通過調整電位，在一級腐蝕A處理時形成的蝕孔側面再發孔，從而形成支孔，實現支孔腐蝕。

本發明的積極效果是在鋁箔垂直孔的截面上，形成很多支孔，孔洞的比表面積有了大幅提高，增加了鋁箔的靜電容量，本發明工藝比原腐蝕工藝的鋁箔靜電容量提高10％以上，并較好的保持了鋁箔的機械性能。

支孔腐蝕工藝原鋁箔腐蝕工藝的對比實驗，化成條件：10％硼酸，90℃，0.05A/cm²，Vfe＝520V。結果如下：